半导体照明网讯：金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，已经广泛应用于制备III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构，极大地推动了光电子器件和微电子器件与芯片的发展及产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料及相关器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。
作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，全国MOCVD学术会议自1989年第一届会议举办以来，已经成功举办了十六届，会议规模和影响力越来越大，成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。
2022年8月15日-18日，以“探索材料新动能·智创未来芯发展”为主题，第十七届全国MOCVD学术会议（MOCVD 2022）将在山西太原举行。本届大会是在国家科学技术部指导下，由中国有色金属学会、中国科学院半导体研究所、中关村半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟联合主办，半导体照明联合创新国家重点实验室、北京第三代半导体材料及应用工程技术研究中心、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，山西大学、中北大学、山西师范大学等单位协办支持。
届时与会专家学者、工程技术人员和企业家将围绕MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。
同时，大会征文活动同步启动，现面向外延生长机理和生长动力学，半导体材料结构与物性，光电子材料与器件，电子材料与器件，超宽禁带半导体材料与器件，低维半导体等新型材料与器件，封装技术及封装材料，装备与基础原材料等方向展开广泛征文。目前，会议征文有序进行，欢迎大家踊跃投稿。征文方向及大会相关信息如下：
届时与会专家学者、工程技术人员和企业家将围绕MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。
同时，大会征文活动同步启动，现面向外延生长机理和生长动力学，半导体材料结构与物性，光电子材料与器件，电子材料与器件，超宽禁带半导体材料与器件，低维半导体等新型材料与器件，封装技术及封装材料，装备与基础原材料等方向展开广泛征文。目前，会议征文有序进行，欢迎大家踊跃投稿。征文方向及大会相关信息如下：
一、会议征文
1.主题方向（建议主题但不限于）
（1）外延生长机理和生长动力学
（2）半导体材料结构与物性
（3）光电子材料与器件
（4）电子材料与器件
（5）超宽禁带半导体材料与器件
（6）低维半导体等新型材料与器件
（7）封装技术及封装材料
（8）装备与基础原材料
2.征文要求
（1）符合上述内容的论文摘要；
（2）论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位；
（3）论文摘要须以WORD文档格式，包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸。相关模板可登录大会官网（网址：http://www.mocvd.org .cn）自行下载，并于提交截止日前以电子邮件方式（邮箱：paper@mocvd.org.cn）提交至会议组委会秘书组；
（4）所有论文摘要均编入会议文集。
二、截止日期
二、截止日期
1、论文提交截止时间：2022年6月20日
2、论文录用通知时间：2022年7月10日
3、注册费优惠截止日：2022年7月20日
三、大会主题
探索材料新动能，智创未来芯发展
四、组织机构
指导单位：国家科学技术部
主办单位：中国有色金属学会
中国科学院半导体研究所
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
承办单位：半导体照明联合创新国家重点实验室
北京第三代半导体材料及应用工程技术研究中心
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办单位：山西大学
中北大学
山西师范大学
名誉主席：曹健林（全国政协教科卫体委员会副主任、
国家科学技术部原副部长）
国家科学技术部原副部长）
会议主席：李晋闽 （半导体照明联合创新国家重点实验室主任、
中国科学院半导体研究所研究员）
中国科学院半导体研究所研究员）
吴 玲 （第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、
中关村半导体照明工程研发及产业联盟理事长）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟理事长）
顾问委员会（按姓氏首字母排序）：陈良惠、褚君浩、范广涵、甘子钊、郝跃、侯洵、黄如、黄维、贾明星、李树深、刘纪美、刘明、罗毅、孙祥祯、王立军、王启明、王圩、王占国、夏建白、许宁生、杨德仁、叶志镇、郑婉华、郑有炓、祝宁华
程序委员会：
程序委员会：
主 任：李晋闽（中国科学院半导体研究所）
张 荣（厦门大学）
江风益（南昌大学）
副主任：谭平恒（中国科学院半导体研究所）
沈兴全（中北大学）
许小红（山西师范大学）
委 员（按姓氏首字母排序）：毕文刚、蔡树军、曾一平、陈弘、陈弘达、陈敬、陈凯轩、陈堂胜、陈长清、程凯、单崇新、杜国同、杜志游、冯淦、冯志红、高焕芝、顾书林、郭浩中、郭世平、郭太良、郭伟玲、郭霞、韩仲、郝茂盛、郝智彪、胡晓东、康俊勇、黎大兵、李国强、李晓航、林科闯、刘斌、刘建利、刘俊、刘扬、刘玉怀、龙世兵、陆海、陆卫、骆薇薇、马杰、潘毅、申德振、沈波、唐景庭、王钢、王国宏、王向武、王晓亮、王新强、王英民、徐宸科、徐科、徐现刚、杨辉、云峰、张佰君、张保平、张国义、张进成、张乃千、张韵、赵德刚
组织委员会：
主 任：王军喜（中国科学院半导体研究所）
阮 军（中关村半导体照明工程研发及产业联盟）
副主任：魏同波（中国科学院半导体研究所）
刘志强（中国科学院半导体研究所）
委 员（按姓氏首字母排序）：蔡端俊、曹峻松、陈敦军、陈鹏、陈志涛、戴江南、董志江、耿博、胡卫国、黄凯、黄森、江灏、李金钗、李虞锋、李忠辉、梁庭、刘建平、宁静、孙海定、孙捷、孙钱、孙晓娟、唐宁、涂长峰、汪莱、汪连山、汪炼成、王光绪、王江波、王科、王茂俊、王申、谢自力、修向前、许福军、许晟瑞、闫建昌、杨树、杨学林、叶建东、伊晓燕、于彤军、张峰、张纪才、张源涛、张紫辉、赵璐冰、左然
组委会秘书：薛 斌（中国科学院半导体研究所）
郭亚楠（中国科学院半导体研究所）
五、会议注册费
1、普通代表（A类票）：
2800元（含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）
2、学生代表（B类票）：
2300元（与普通代表会议待遇相同，需要提交相关证件）
3、7月20日前，报名缴费可享受优惠：
普通代表2500元；学生代表2000元。（享受上述相同待遇及服务）
六、注册费缴费方式
1、通过银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
2、线上缴费（微信或支付宝支付）
（*备注：支付时请务必备注参会人员的单位和姓名，以便查询及开具发票。）
3、现场缴费（接受现金和刷卡）
七、联系人：
征文咨询：薛老师：010-82305304 E：xuebin@semi.ac.cn
参会咨询：芦老师：010-82380580 E：lul@casmita.com
会议合作：张小姐：13681329411 E：zhangww@casmita.com
贾先生：18310277858 E：jiaxl@casmita.com 大会热烈欢迎MOCVD及相关领域的专家、学者、行业企事业单位参会交流！会议详情请关注官网：http://www.mocvd.org.cn/。
