半导体与集成电路产业主要包括芯片设计、制造、封装测试，以及相关原材料、生产设备和零部件等。深圳是我国半导体与集成电路产品的集散中心、应用中心和设计中心之一，近年来产业保持快速发展态势，2021年深圳市集成电路产业主营业务收入超过1100亿元，拥有国家级集成电路设计产业化基地、国家第三代半导体技术创新中心、国家示范性微电子学院等重大创新平台。
深圳拥有上下游资源优势，上游设计能力突出，下游应用场景广泛；深圳创新要素市场化配置程度高、选人用人机制灵活，便于汇聚高端人才，有利于加速技术创新及成果转化。但集成电路制造业规模有待提升，不能满足产业发展需求；工业软件、生产设备和关键材料对外依存度较高；重大功能型平台布局有待强化，产业共性问题需要加快解决；专业规划的集成电路产业园区还不够。
为此《行动计划》提出，到2025年，产业营收突破2500亿元，形成3家以上营收超过100亿元和一批营收超过10亿元的设计企业，引进和培育3家营收超20亿元的制造企业，集成电路产业能级明显提升，产业结构更加合理。
到2025年，设计行业骨干企业研发投入强度超10%，发明专利密集度和质量明显提高，国产EDA软件市场占有率进一步提升，实现一批关键技术转化和批量应用，形成完善的人才引进和培养体系，建成5个以上公共技术服务平台。
建成较大规模生产线，设备、材料、先进封测等上下游环节配套完善，形成从衬底、外延到芯片制造到器件应用完整的宽禁带半导体产业链条。到2025年，产业链国产化水平进一步提升，本地产业链配套和协作能力显著增强，规划建设4个以上专业集成电路产业园。
在高端芯片突破工程方面，重点突破CPU、GPU、DSP、FPGA等高端通用芯片的设计，布局人工智能芯片、边缘计算芯片等专用芯片的开发。以5G通信产业为牵引，全面突破射频前端芯片、基带芯片、光电子芯片等核心芯片。聚焦智能“终端”等泛物联网应用，推动超低功耗专用芯片、NB-IoT芯片的快速产业化。围绕智能汽车等新兴业态，积极培育激光雷达等上游芯片供应链。加强对设计企业流片支持。
在先进制造补链工程方面，加强与集成电路制造企业合作，规划建设28纳米及以上工艺制程晶圆代工厂，规划建设BCD、半导体激光器等高端特色工艺生产线。支持建设高端片式电容器、电感器、电阻器等电子元器件生产线。支持代表新发展方向的半导体与集成电路制造重大项目落户，引导国有产业集团、社会资本对项目进行股权投资。鼓励既有集成电路生产线改造升级。
在先进封测提升工程方面，紧贴市场需求加快封装测试工艺技术升级和产能提升，形成与设计、制造相匹配的封测能力。加快大功率MOSFET器件和高密度存储器件封装技术的研发和产业化。大力发展晶圆级、系统级等先进封装核心技术，以及脉冲序列测试、IC集成探针卡等先进晶圆级测试技术。支持独立测试分析服务企业或机构做大做强，与大型封装测试企业形成互补。
在化合物半导体赶超工程方面，提升氮化镓和碳化硅等化合物半导体材料与设备研发生产水平，加速器件制造技术开发、转化和首批次应用。面向5G通信、新能源汽车、智能终端等新兴应用市场，大力引进技术领先的化合物半导体企业。引导企业参与关键环节技术标准制定，抢占产业制高点，提升产品市场主导权和话语权。加速产品验证应用，鼓励企业推广试用化合物半导体产品，提升系统和整机产品的竞争力。
在人才引育聚力工程方面，加强现有高校的教育研发环境建设，扩大半导体专业招生规模，重点培养一批高层次、复合型人才。
《行动计划》提出，要形成东部硅基、西部化合物、中部设计的空间布局。以南山、福田、宝安、龙华、龙岗、坪山6个区为重点发展对象，其中龙岗兼具研发设计和生产制造功能，南山、福田为研发设计，宝安、龙华、坪山为生产制造。
南山和福田区定位为设计企业集聚区，重点突破高端芯片设计，巩固深圳在集成电路设计领域的优势。宝安和龙华区定位为化合物半导体集聚区，打造从材料到芯片制造到器件应用完整的宽禁带半导体产业链条。龙岗和坪山区定位为硅基半导体集聚区，重点推进一系列硅基集成电路重大项目落地，布局从前端研发到芯片制造的产业链条。（中国网）
