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单芯突破140 mW!深紫科技实现UVC大功率芯片技术跨越

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-06-13 浏览次数:540
半导体照明网获悉:深紫科技长期致力于UVC芯片的技术开发,近期公司研发团队在外延和芯片技术上不断探索,成功实现了UVC大功率芯片技术突破。通过外延底层优化及核心层结构设计、芯片新型p型透明电极及特殊反射电极设计,成功研制出单颗光输出功率140mW以上的大功率芯片。
 
深紫科技透露:“目前,该款产品已通过多位客户的数轮验证,进入批量供货阶段。”
 
深紫科技该款单芯尺寸为45*45mil,目前芯片已进行多轮可靠性测试。
 
在注入电流350mA的条件下,单芯光输出功率104.54mW,其工作电压在5.79V;在注入电流500mA的条件下,单芯光输出功率可达143.43mW。
 
该款产品老化性能也相当优秀,在350mA驱动下,该芯片持续点亮1000小时,光功率维持率仍在90%以上,预估L70寿命可超过10000小时。该产品技术性能的突破,将助力深紫科技在国际市场上名列前茅。

 
45*45灯珠光电测试结果
 
封装测试报告
寿命测试数据以及寿命曲线
 
深紫科技介绍,该产品技术性能的突破,不仅可以巩固深紫科技的技术领先地位,更可以满足深紫外LED在公共卫生杀菌领域的功率需求,促进深紫外LED产业的快速发展。
 
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