基于半导体材料的半导体芯片是信息化社会各个行业不可或缺的食粮，其发展水平是反映一个国家高技术实力、国防能力和国际竞争力的主要标志之一。以化合物半导体为代表的半导体新材料快速崛起，未来10年将对国际半导体产业格局的重塑产生至关重要的影响。
4月19-21日，首届中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会在武汉光谷召开。论坛在湖北省和武汉市政府支持下，由武汉东湖新技术开发区管理委员会、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、九峰山实验室、光谷集成电路创新平台联盟共同主办。武汉市人民政府市长程用文出席开幕式并致辞，副市长王清华主持，武汉东湖高新区管委会主任张勇强作专题推介并发布九峰山科技园规划。
中国工程院院士、国家新材料产业发展委员会主任干勇，中国工程院院士、华中科技大学校长尤政，中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃，中国科学院院士、南京大学教授祝世宁，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，中国科学院院士、中国科学技术大学教授封东来，瑞典隆德大学教授、瑞典皇家科学院、工程院两院院士 Lars Samuelson，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲等海内外院士、专家、企业嘉宾，以及来自化合物半导体产学研用产业链相关的科研人才、知名企业高管、投资机构、媒体代表等1200余人参会，聚焦全球化合物半导体发展态势，探索未来合作发展方向。
汇智聚力 构建化合物半导体产业技术应用创新生态
当前全球半导体产业正处于新一轮深度调整阶段，各主要经济体全力布局半导体产业，力争在新的产业格局中占据有利位置。以第三代半导体为代表的化合物半导体材料快速崛起，也是我国重构全球半导体产业竞争格局的重要突破口。
中国工程院院士干勇
中国工程院院士干勇致辞时表示，当前以第三代半导体为代表的化合物半导体材料快速崛起，将成为整个信息产业中一个新的经济增长极。未来2-3年是产业发展的关键期，半导体新材料、工艺和装备这三个核心产业环节协同研发创新是建立半导体技术和产业核心竞争力的必要途径。希望光谷抢抓发展机遇期，加速打造化合物半导体产业集群，在新一轮半导体产业竞争中发挥更大的作用。
中国工程院院士尤政
半导体是信息产业和国家竞争的基石，化合物半导体以其优异性能成为光电子、射频通信和电力电子等产业自主创新发展和转型升级的核心材料，被认为我国半导体行业开道超车的机会。光谷在光电子信息产业领域独树一帜，具备发展化合物半导体技术与应用的良好基础，抢抓化合物半导体产业发展机遇，将更加丰富光谷光电子产业内涵，提升产业综合竞争力，助力“世界光谷”建设。华中科技大学将通过产学研深度合作，继续加强在化合物半导体领域学术型、工程型、技术型等多层次创新人才培养，以重大项目为依托，加强行业关键核心技术攻关，助力光谷打造成为全球化合物半导体创新生态标杆、产业引领高地和尖端人才集聚区。
开幕式上，围绕打造全球化合物半导体创新灯塔和产业高地，东湖高新区发布九峰山科技园区规划，宣布九峰山实验室发展进度，设立产业基金，签约项目总金额近300亿元。
九峰山实验室产业带动项目
东湖高新区举办此次大会，布局化合物半导体产业链，将九峰山科技园作为武汉新城重点建设的科技项目，着力于产业生态集群的打造，正式吹响化合物半导体产业发展的冲锋号。
九峰山科技园空间布局图
九峰山科技园构建“一核三区，双轴交汇”的空间格局，“一核”即九峰山实验室科技创新核，系统布局实验室、研究院、孵化器等创新业态，“三区”为创新策源区、产业发展区、人才集聚区“三区”。九峰山科技园将构建设备、材料、设计、芯片、器件、模块、制造、封装、检测的全产业链体系，推动创新链、人才链、资金链和产业链深度融合发展，形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态，成为化合物半导体产业全球科技人才首选地。
九峰山实验室
其中，九峰山实验室致力于建设先进的化合物半导体研发和创新中心，已建成全球化合物半导体产业最先进、规模最大的科研及中试平台，包括全球一流的化合物半导体工艺、检测、材料平台，今年3月实现8寸中试线通线运营。
到2025年，九峰山科技园将基本落成，聚集产业链企业100家以上，培育1-2家细分领域龙头企业，形成化合物半导体全产业生态；到2035年，九峰山科技园全面建成，成为全球化合物半导体领域最重要的科研和产业高地，诞生一批战略性原创科学成果，培育一批具有国际竞争力的领军企业，推动我国化合物半导体技术水平实现全球领先。
先进趋势前瞻 与化合物半导体产业发展动向共舞
化合物半导体材料拥有高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性，恰好符合半导体产业发展所需，随着材料制备技术与下游应用市场的成熟，以及物联网、5G时代的到来，以GaAs、GaN、SiC等为代表的化合物半导体正快速崛起中，市场空间不断拓展。
大会主旨报告环节，十大国际重量级报告，高屋建瓴，从产业链不同角度、不同领域解读产业发展走向，全面分享国际化合物半导体技术及应用的最新进展，高峰对话，深入交流探讨产业发展前沿新方向。中科潞安紫外光电科技有限公司董事长、中国科学院半导体研究所原所长、半导体照明联合创新国家重点实验室主任李晋闽，第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、中科院半导体研究所原副所长杨富华，华为光工厂厂长乔士刚共同主持了该环节。
中科潞安紫外光电科技有限公司董事长、中国科学院半导体研究所原所长李晋闽
第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华
华为光工厂厂长乔士刚
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲
以数字、能源、生命健康为代表的新一轮科技和产业变革将颠覆性影响人类未来发展，改变生产、生活、思维方式，重塑生产关系和经济模式。以半导体为核心底层技术的颠覆性技术不断涌现。CASA理事长吴玲分享了新形势下我国化合物半导体产业发展战略的思考，报告指出，发展第三代化合物半导体不仅是要摆脱对国外的技术依赖，最重要的是它在市场驱动下需求迅猛，将支撑能源与环境所面临的严峻挑战，支撑以互联网为标志的新一代信息技术的可持续发展，支撑智能化为代表的制造业升级和高新技术产业发展迫切需求。她建议，要以应用促发展、建集群，建立协同创新的产业体系和生态，还必须精准推进国际科技合作，加强非政府间合作，主动参与国际标准制定，系统梳理国际人才战略，强化对国际人才吸引力。
中国科学院院士郝跃
半导体材料是芯片高速发展的重要驱动力，同时可带动多学科发展，化合物半导体材料是芯片发展的重要推动力。中国科学院院士郝跃分享了化合物半导体器件进展与挑战，从硅机新型材料、宽禁带半导体以及超宽禁带半导体三个方面，详细阐释了化合物半导体材料的最新进展，指出异质集成是未来重要的发展方向，依托公共、开放平台，突破硅集成电路和化合物半导体功能集成，推动整个电子信息产业的不断的发展。
中国工程院院士罗毅
随着人工智能和机器学习等多项新兴技术的应用，高速半导体器件的需求不断增加，为化合物半导体市场发展带来利好。中国工程院院士罗毅从光电子器件与人工智能的跨界角度带来新的信息，详细分享了光电子器件与光纤通信、固态照明及显示、高速3D感知等技术研究进展，以及智能成像芯片的最新发展动态。他表示，感存算一体化集成芯片是智能成像芯片的发展趋势。
中国科学院院士祝世宁
化合物半导体材料、工艺与设备等技术的发展将极大的支撑并推动化合物半导体的发展进程，薄膜铌酸锂在光电器件与集成发挥着作用，器件的尺寸大幅减小，性能大幅度提升，满足光电子技术不断发展的需要。中国科学院院士祝世宁分享了薄膜铌酸锂的机遇与挑战，详细介绍了薄膜铌酸锂的发展状况及国内外最新技术研究进展，并指出，光子集成的核心材料与技术路线仍未完全确立，是挑战也是机遇。薄膜LN集成光子学将很快成为集成光子学联盟中强大的竞争者和不可或缺的参与者，它的复杂性和应用前景令人期待。
瑞典皇家科学院院士Lars SAMUELSON
半导体发光器件是固态显示与照明技术的共同基础。新型显示技术不断迭代，提升显示效果，其中Mini/Micro LED 显示技术正成为新兴显示技术新的一极，为显示领域注入了新的成长动力。瑞典皇家科学院院士Lars SAMUELSON分享了氮化物Micro LED到超小像素的挑战和机遇。
华为光领域Fellow肖新华
光集成技术是未来光器件的主流发展方向。华为光领域Fellow肖新华分享了光通信发展中面临的器件需求和挑战。报告指出，长途相干预计将向单波800G/1.6T演进，推动200GB+高带宽器件发展。光RoF预计将是支撑未来无线和WiFi前瞻低功耗的重要技术。未来光通信，光传感、光显示将涉及星际光、激光雷达、超长距光纤传感、AR HUD虚实结合等方向延伸。
华大半导体副总经理刘劲梅
当前，SiC功率器件进入放量窗口期，国产器件已经开始被市场接受，SiC市场规模持续扩大。华大半导体副总经理刘劲梅分享了中国碳化硅产业发展的机遇与挑战。报告指出，国内碳化硅产业链能够支撑当前市场应用需求，尤其是设计和制造结合，器件特性达到国际领先水平。产业降本提质成为当前核心，产业链各环节都不同程度面临挑战。SiC技术不断发展，一些关键技术问题需要基础课题研究，需要产学研大力合作。
北京北方华创微电子装备有限公司总裁董博宇
SiC市场需求向好，全球碳化硅产业格局纷争，全产业链延伸趋势明显，国产装备也在不断前向发展。北京北方华创微电子装备有限公司总裁董博宇分享了国产碳化硅装备与第三代半导体产业发展的助力。北方华创专注化合物半导体工艺研发，SiC高速通孔刻蚀设备，高致密低应力PECVD薄膜沉积设备等，覆盖SiC Trench、GaN ALE等工艺，已在国内多条主流生产线上实现量产应用。报告从设备角度详细分享了SiC领域的系列解决方案，并表示作为装备企业，需要深耕，不断吸收先进理念，持续进行工艺创新。
华大九天副总经理朱能勇
EDA贯穿集成电路（IC）产业设计、制造、封测等各个环节，在芯片产业中不可或缺，不同应用场景下器件结构性、设计流程、仿真验证都有差异，针对性的开发全流程EDA工具势在必行。华大九天副总经理朱能勇分享了基于第三代半导体技术的EDA方法研究与应用。报告详细分享了化合物半导体电路的基本设计流程及构建统一全定制设计大平台、光电全流程EDA设计系统、射频微波全流程EDA设计系统、高效电路仿真和光学仿真等内容，并指出，EDA技术发展，将呈现发无处不在的工具覆盖及技术集成平台化，从芯片到系统发展，从自动化到智能化的发展趋势。
安芯投资董事长兼总经理王永刚
资本是产业发展的重要助推力。安芯投资董事长兼总经理王永刚分享了科技资本助力化合物半导体产业生态构筑。创新与资本相伴同行，作为较早进入半导体投资领域的资本力量，安芯资本已成为国内领先、国际知名的半导体产业推动者，报告中王永刚分享了资本角度的投资逻辑与方法论，以及SiC、GaN等方向的产业投资布局，并表示，将继续通过科技资本强力助推化合物半导体产业生态的蓬勃发展。
本届论坛为期三天，除了开幕大会，设有5大主题平行论坛，将有超70位国内外知名科研院所专家学者、产业链知名企业高管，分别围绕化合物半导体关键材料与制备工艺、化合物半导体核心装备及仪表、EDA工具与生态链、光电子器件及集成技术、功率电子器件及应用等几大重点方向分享前沿主题报告。专题聚焦，深入探讨产业链关键环节相关重点技术发展进展与前沿趋势，传递最新技术发展信息，促进产业链不同环节协同创新。
同时，论坛还设置了主题展览，交流晚宴、商务考察等线上线下丰富的活动形式，凝心聚力，助力对接资源，洽谈合作。
绿色低碳发展，万物智能互联成为全球共识，加快发展化合物半导体产业是提升我国半导体产业基础能力、建立未来战略优势的关键所在。在新的国际形势背景下，多方强强联合，携手主办本次论坛，将为业界搭建高规格、国际化的产业技术交流平台，吸引全球技术及产业资源聚集，促进化合物半导体产业链、创新链，价值链，人才链、服务链等全链条发展，推动创新体系和生态完善，共谋化合物半导体产业发展。
