尊敬的各有关单位：
第三代半导体是实现“双碳”目标、“东数西算”战略和保障国家产业安全、经济高质量发展的重要支撑。随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。特别是近两年碳化硅、氮化镓功率器件的采用在众多市场快速增长，覆盖可再生能源与储能、电动汽车、充电基础设施、工业电源、牵引和变速驱动等众多领域，可带来更小型、更轻量、更具经济效益的设计，并更高效率地实现能量转换，从而赋能不计其数的新型清洁能源应用，在全球朝向可持续电气化转型中发挥着至关重要的作用。我国目前在以碳化硅、氮化镓为首的第三代半导体材料领域已经形成了完整的产业链，从材料、装备及工艺技术等方面也均实现了部分国产化替代，占据了一定的市场份额，但在材料、工艺与装备一体化、大规模量产能力、器件性能与稳定性等方面与国际先进水平仍存在一定差距，要实现碳化硅关键装备及工艺技术完全的国产自主可控，仍需产业上下游各方加强协作，携手攻克难关。
为强化自主科技创新，提升核心装备国产化供给能力，在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所联合组织筹办，拟于5月5-7日在长沙市举办“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”，会议围绕 “碳化硅衬底、外延及器件相关装备产业创新发展”、“关键零部件及制造工艺创新突破”、“产业链上下游协同创新”、“氮化镓与氧化镓等其他新型半导体”，邀请产业链上下游的企业及高校科研院所代表深入研讨，携手促进国内碳化硅及其他半导体产业的发展。
先进半导体产业大会组委会
2023年4月
》》组织机构
指导单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
主办单位
极智半导体产业网(www.casmita.com)
承办单位
中国电子科技集团公司第四十八研究所
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办单位
湖南三安半导体有限责任公司
浏阳泰科天润半导体技术有限公司
中车时代电气股份有限公司
中南大学
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赞助支持
湖南三安半导体有限责任公司
浏阳泰科天润半导体技术有限公司
宁波恒普真空科技股份有限公司
苏州高视半导体技术有限公司
忱芯科技（上海）有限公司
苏州博宏源机械制造有限公司
江苏晶工半导体设备有限公司
苏州德龙激光股份有限公司
北京特思迪半导体设备有限公司
布鲁克（北京）科技有限公司
山东海金石墨科技有限公司
湖南德智新材料有限公司
浙江凯威碳材料有限公司
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
浙江飞越机电有限公司
中电科风华信息装备股份有限公司
吉永商事株式会社
鹏城半导体技术（深圳）有限公司
北京妫水科技有限公司
昂坤视觉（北京）科技有限公司
山西中电科新能源技术有限公司
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》》主题方向
1、宏观趋势与产业现状
·碳化硅全球发展趋势、现状及应用前景；
·国内产业政策分析、产业需求研判；
·国产装备现状、行业发展痛点及未来展望；
·资金、人才、技术、市场等关键要素分析；
2、技术方向与产业环节
·碳化硅晶体生长、加工工艺及相关装备技术；
·外延材料生长、芯片制造等核心工艺技术及装备
·封装材料、工艺及装备技术；
·氮化镓、氧化镓等新型半导体材料、工艺和装备；
3、产业配套及供应链
·衬底、外延、器件等设计软件及检测装备；
·石墨/涂层/清洗/特气等配套材料、工艺装备协同优化；
·产品性能/良率/可靠性等要素分析与改进；
·生产流程控制、工艺优化与产业链协同创新；
4、规模应用与市场探索
·车用碳化硅/氮化镓器件技术进展；
·碳化硅功率器件技术进展及应用前景；
·产业化进展及装备需求；
·市场动力、核心竞争力塑造与面临挑战。
》》时间地点
2023年5月5-7日
湖南·长沙·圣爵菲斯大酒店
》》日程安排(具体报告陆续更新中)
》》开幕大会日程安排
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时间 |
主要安排 |
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5月5日 |
09:00-19:00 |
报到&资料领取 |
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13:30-17:30 |
开幕大会+圆桌对话 |
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18:00-21:00 |
欢迎晚宴 |
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5月6日 |
09:00-12:00 |
分论坛1：碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术 |
分论坛2：氮化镓、氧化镓及其他新型半导体 |
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12:00-13:30 |
午餐&交流 |
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13:30-17:30 |
分论坛1：碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术 |
分论坛2：氮化镓、氧化镓及其他新型半导体 |
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18:30-20:30 |
晚餐&结束 |
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5月7日 |
09:00-12:00 |
商务考察活动&返程 （中国电子科技集团公司第四十八研究所或泰科天润或湖南三安半导体） |
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备注：仅供参考，以现场为准。 |
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开幕大会 |
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时间：5月5日 • 下午14:00-17:30 地点：圣爵菲斯大酒店 • 欢城 • 三层宴会C厅 |
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14:00-14:05 |
嘉宾介绍 |
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14:05-14:15 |
领导/嘉宾致辞 |
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大会主旨报告 |
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14:15-14:45 |
碳化硅产业链半导体技术趋势及进展 赵璐冰——第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长 / 丁荣军——中国工程院院士、中车集团首席科学家 |
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14:45-15:15 |
碳化硅器件微型化现状及发展趋势 张清纯——复旦大学教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、清纯半导体董事长 |
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15:15-15:45 |
碳化硅材料技术产业现状与新趋势 彭同华——北京天科合达半导体股份有限公司董事、常务副总经理 |
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15:45-16:00 |
茶歇 |
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16:00-16:30 |
当前碳化硅项目到底要建多大的线？再分析碳化硅行业规模化发展的谜题与难题 陈 彤——泰科天润董事长 |
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16:30-17:00 |
碳化硅芯片制造装备技术发展趋势及国产化进展 巩小亮——中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任 |
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19:00-21:00 |
欢迎晚宴 |
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平行论坛1：碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术 |
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时间：5月6日 • 09:00-12:00，14:00-17:30 地点：圣爵菲斯大酒店 • 欢城 • 三层宴会C厅 |
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主持人 |
刘朝辉 国家新能源汽车中心 |
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09:00-09:20 |
SiC MOS器件可靠性制造技术及装备 王德君——大连理工大学教授 |
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09:20-09:40 |
SiC MOSFET器件及其应用研究的思路和探索 王 俊——湖南大学超大功率半导体研究中心主任，教授 |
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09:40-10:00 |
碳化硅产业链挑战 湖南三安半导体 |
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10:00-10:20 |
适配xEV动力域控制器的SIC电机控制器 陈文杰——阳光动力电控研发中心总监 |
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10:20-10:35 |
茶歇 |
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主持人 |
尹韶辉 湖南大学教授 |
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10:35-10:55 |
碳化硅长晶炉石墨热场结构的国产化探索 赵丽丽——哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长 |
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10:55-11:15 |
碳化硅单晶用碳化钽技术（TBD） 恒普真空 |
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11:15-11:35 |
SIC晶圆全制程质量控制解决方案 邹伟金——苏州高视半导体技术有限公司副总经理 |
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11:35-11:55 |
碳化硅6/8英寸高产能外延解决方案 方子文——AIXTRON SE中国区副总经理 |
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11:55-12:15 |
先进抛光技术助力量产型大尺寸碳化硅制造 孙占帅——北京特思迪半导体设备有限公司工艺部部长 |
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11:55-14:00 |
午餐 |
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主持人 |
王 俊 湖南大学教授 |
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14:00-14:20 |
碳化硅器件与水冷散热器的低温直连技术探索 梅云辉——天津工业大学电气工程学院院长 |
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14:20-14:40 |
高性能功率器件封装互连方法研究 朱文辉 中南大学特聘教授 |
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14:40-15:00 |
国产化碳化硅注入机发展情况 罗才旺——北京烁科中科信电子装备有限公司副总经理 |
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15:00-15:20 |
碳化硅功率半导体模块精准动静态特性与可靠性测试解决方案 陆 熙——忱芯科技（上海）有限公司技术总监 |
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15:20-15:40 |
电力电子领域宽禁带半导体外延技术进展 芦伟立——中国电子科技集团第十三研究所SIC外延主管 |
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15:40-15:55 |
茶歇 |
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主持人 |
潘尧波 中电化合物半导体有限公司总经理 |
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15:55-16:15 |
碳化硅功率半导体模块精准动静态特性与可靠性测试解决方案 陆 熙——忱芯科技（上海）有限公司技术总监 |
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16:15-16:25 |
碳化硅外延核心技术的产业化应用 孔令沂——杭州海乾半导体有限公司董事长 |
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16:25-16:45 |
半导体设备用SiC部件材料开发及应用 余盛杰——湖南德智新材料有限公司CTO |
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16:45-17:05 |
碳化硅同质外延层厚度无损红外反射光谱法测试分析 雷浩东——布鲁克（北京）科技有限公司应用工程师 |
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17:05-17:25 |
碳化硅晶圆减薄装备技术现状及发展趋势 尹韶辉——湖南大学教授 |
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平行论坛2：氮化镓、氧化镓及其他新型半导体 |
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时间：5月6日 • 09:00-12:00，14:00-17:30 地点：圣爵菲斯大酒店 • 欢城 • 三层国际会议厅 |
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主持人 |
谢自力 南京大学教授 |
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09:00-09:20 |
原位集成亚波长光学结构micro-LEDs器件研究 汪炼成——中南大学教授 |
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09:20-09:40 |
氮化镓基光通信技术及应用 陈雄斌——中科院半导体研究所研究员 |
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09:40-10:00 |
氮化物半导体数字混晶与极化诱导二维空穴气 王 科——南京大学教授 |
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10:00-10:20 |
分子束外延设备国产化进展及展望 陈峰武——湖南烁科晶磊半导体科技有限公司科技部部长 |
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10:20-10:35 |
茶歇 |
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10:35-10:55 |
GaN功率电子器件的物理建模与制备研究 张紫辉——河北工业大学教授 |
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10:55-11:15 |
氮化镓射频芯片工艺和封装技术 王 琮——哈尔滨工业大学教授 |
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11:15-11:35 |
原位AlGaN插入层降低InGaN LED漏电流 李阳锋——湖南大学半导体学院（集成电路学院）助理教授 |
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11:35-11:55 |
氮化镓基LED（TBD） 季 辉——湘能华磊光电股份有限公司总工程师 |
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11:55-14:00 |
午餐 |
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主持人 |
汪炼成 中南大学教授 |
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14:00-14:20 |
下一代半导体——氧化镓之管见 夏长泰——中国科学院上海光机所研究员 |
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14:20-14:30 |
氧化镓材料研究进展及发展思考 张胜男——中国电子科技集团第四十六所高级工程师 |
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14:30-14:50 |
基于LPCVD生长六方氮化硼薄膜的特性及应用研究 李 强——西安交通大学副教授 |
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14:50-15:10 |
氧化镓薄膜外延及电子结构研究 张洪良——厦门大学化学与化工学院教授 |
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15:10-15:30 |
氧化镓单晶生长及缺陷研究 穆文祥——山东大学新一代材料研究院副教授 |
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15:30-15:45 |
茶歇 |
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15:45-16:05 |
III-V族化合物纳米半导体阵列的选区外研生长及探测应用 袁小明——中南大学物理电子学院副教授 |
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16:05-16:25 |
金刚石技术（TBD） 彭 燕——山东大学副教授 |
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16:25-16:45 |
金刚石（ 魏秋平——中南大学教授 |
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16:45-17:05 |
氧化镓光电探测器研究进展 赵晓龙/龙世兵——中国科学技术大学微电子学院 |
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17:05-17:25 |
氧化镓的可控掺杂与性能调控 胡 伟——湖南大学新一代半导体研究院副教授 |
》》拟参会单位
山东天岳，天科合达，河北同光，山西烁科晶体，南砂晶圆，东莞天域，英飞凌，安森美， 瀚天天成，瞻芯电子，清纯半导体，蔚来汽车，中南大学，湖南大学，基本半导体，士兰微，高意半导体，中科院半导体所，中科院物理所，武汉大学，武汉理工大学，国防科技大学，AIXTRON SE, 中电科四十六所，中电科二所，中电科十三所，中电科五十五所，晶越半导体，小鹏汽车，山东大学，理想汽车，长安汽车、超芯星，中电化合物，世纪金光，浙江大学，西安交通大学，复旦大学、海乾半导体、富士电机、三菱电机.....
》》更多报主题安排
平行论坛报告主题安排
1.第三代半导体产业发展现状及挑战
2.第三代半导体关键装备的现状及国产化思考
3.碳化硅器件制造关键装备及国产化进展
4.SiC器件和模块的最新进展
5.第三代半导体材料外延生长装备现状及展望
6.碳化硅涂层石墨盘技术
7.8英寸碳化硅单晶进展
8.国产MBE 设备进展
9.SiC衬底制备技术现状、趋势及工艺研究
10.SiC电力电子器件制造及其典型装备需求
11.SiC功率器件制造工艺特点与核心装备研发
12.SiC MOS器件结构设计
13.激光剥离设备国产化进展
14.先进碳化坦涂层技术
15.车用碳化硅技术进展
16.银烧结设备技术
17.SiC高温热处理设备及工艺应用
18.激光退火技术
19.SiC外延装备及技术进展
20.碳化硅离子注入设备技术
21.SiC晶体生长、加工技术和装备
22.抛光装备国产化之路
23.8寸碳化硅外延制备技术
24.8寸碳化硅衬底技术进展
25.第三代半导体材料生长装备与工艺自动化
26.化合物半导体工艺设备解决方案
27.GaN器件及其系统的最新研究进展
28.Si衬底GaN基功率电子材料及器件的研究
29.GaN晶片的光电化学机械抛光加工
30.第三代半导体材料加工设备及其智能化
31.激光技术在第三代半导体领域的应用
32.碳化硅单晶生长用石墨技术
33.碳化硅/氧化镓等缺陷检测
34.碳化硅基氮化镓HEMT技术
35.金刚石半导体技术
36.碳化硅半导体功率器件测试方案
37.碳化硅基氮化镓产业化进展及装备需求
38.光隔离探头测试技术
39.电子特气在第三代半导体产业中的应用
40.金刚石单晶生长技术
41.SiC单晶制备与装备研发进展
42.半导体电子特气国产化进展
43.半导体晶圆清洗设备国产化进展
44.碳化硅IGBT 技术进展及应用前景
45.车用氮化镓器件技术进展
46.第三代半导体二手设备市场现状与存在问题
47.硅基氮化镓MOCVD设备技术进展及趋势
48.氧化镓单晶/衬底外延及功率器件技术
备注：以上部分报告主题仅供参考，报告嘉宾正陆续确认中，后续将集中公布。
》》注册报名：
1、注册费2500元，4月29日前注册报名2200元（含会议资料袋，5月5日欢迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐）。企业展位预定中，请具体请咨询。
2、交通费、住宿费等自理。
》》展览展示
为促进产业链企业充分展示交流，组委会开辟出少量展示席位，数量有限，预订从速。详情可咨询会议联系人。
》》缴费方式
1、通过银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
2、线上注册缴费
备注：在线注册平台注册请务必填写正确，以便后续查询及开具发票。
3、现场缴费（接受现金和刷卡）
4、收款单位：本届论坛指定“北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司”作为会议唯一收款单位。
》》报告及论文发表联系：
Frank 贾：18310277858，jiaxl@casmita.com
》》会议报名/参展/赞助咨询：
贾先生：18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士：13681329411，zhangww@casmita.com
张先生：18601159985，zhangtk@casmita.com
》》协议酒店：
会议酒店： 长沙圣爵菲斯大酒店
酒店地址：湖南省长沙市开福区三一大道471号
协议房价：
·五星酒店房间：大/ 双 床房 含双早 468元/晚
·三星酒店房间：大/双 床房 含双早 258元/晚
（备注：三星酒店单独用餐区用早餐，不能享用酒店健身房和游泳池，具体可咨询酒店联系人）
预订联系人：李子都 圣爵菲斯大酒店营销经理
电话:14726987349
邮箱:136379346@qq.com
备注：预定客房时提“碳化硅”或“半导体会议”均可享受协议价格。
