氮化铝镓（AlGaN）材料在深紫外光电子学领域具有广泛的应用潜力，尤其是在深紫外发光材料与器件方面。随着深紫外光电子学应用的不断扩展，AlGaN技术有望在各种领域取得更大的突破。
9月12日-14日，以“构建紫外新兴业态、促进科技成果转化”为主题的“第三届紫外LED国际会议暨长治LED产业发展推进大会”在山西长治盛大开幕。会议由长治市人民政府、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA ）主办，长治市发展和改革委员会、长治国家高新技术产业开发区管委会承办。
开幕大会上，北京大学教授沈波带来了“AlGaN基深紫外发光材料与器件”的主题报告。氮化物半导体具有禁带变化范围宽、二维电子气密度高等一系列优异性质，是继Si和GaAs之后最重要的半导体材料，全球高技术竞争的关键领域之一，我国政府高度重视，在若干国家科技和产业计划中，均把其列为重点支持方向。AlN和高Al组分AlGaN是制备DUV-LED不可替代的第三代半导体，无汞污染、电压低、体积小、效率高、寿命长、利于集成。AlGaN基UV-LED面临着材料外延等一些关键科学技术问题。报告详细分享了高质量AlN及其量子阱的外延生长、AlGaN的高效p型掺杂和器件研制的研究进展与成果。
报告指出，由于异质外延和体系内部大失配、强极化的特性，AlN、高Al组分AlGaN及其量子结构的外延生长和DUV-LED研制依然面临一系列关键科学和技术问题；研究发明数种蓝宝石衬底上AlN外延方法，NPSS衬底上AlN外延层XRD摇摆曲线半高宽达132 (002) /140(102) arcsec；NPAT衬底上AlN外延层位错腐蚀坑密度达~104cm-2，相比于NPSS低2个数量级；在AlN/蓝宝石模板上外延生长出高质量AlGaN基多量子阱，发光波长277~278 nm，IQE达83.1%；发明“脱附控制超薄层外延”方法，制备出短周期超晶格结构p-AlGaN层， 空穴浓度达8.1×1018cm-3；在上述工作基础上，实现了发光波长: 277~278 nm，光输出功率36.9 mW@100 mA的深紫外LED器件。
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）
