第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于2023年11月27-30日在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
作为经典行业年度国际盛会，论坛一路陪伴国内第三代半导体产业企业成长，已经成为在中国地区举办的、专业性最强、影响力最大的第三代半导体领域国际性年度盛会，规模最大、规格最高的第三代半导体全产业链综合性论坛，是国内外第三代半导体产业发展“风向标”。今年时值半导体照明工程启动20周年，以及中国国际半导体照明论坛20周年，本届盛会特别设置了诸多亮点活动以飨业界，目前大会组织正有序进行中。
当前第三代半导体发展进入新的阶段，高性能计算、量子技术、能源转换、光电子学和生物医学等领域不断创新和技术挑战将继续推动第三代半导体技术研究和应用的进展。随着科技的发展，第三代半导体领域发展充满着巨大的想象空间和新的可能性。站在产业发展的交汇点，何去何从，需要全球业界齐心协力的探索与努力。据组委会透露，开幕大会五大重磅报告已经出炉，来自国内外的重量级专家将从现在与未来，走向与选择，变革与升级等角度，宏观与微观，务实与前瞻等不同视角，多维度探讨产业发展的未来，与业界同仁交流互动，共议产业发展新篇章，实力派嘉宾与重量级报告相得益彰，会带来怎样的前沿思考与碰撞火花，十分值得期待。
五大重磅报告信息如下：
《第三代半导体产业发展现状与展望》
国际半导体照明联盟主席、科技部原副部长曹健林
曹健林，国际半导体照明联盟主席、科技部原副部长。曾历任中科院长春光机所研究员、常务副所长、所长、长春光机与物理所所长、科学技术部副部长。2000年9月任中科院院长助理兼中科院光电集团筹备组组长；2003年11月中科院光电研究院院长；2005年1月，任中国科学院副院长，党组成员，兼任中国科学院光电研究院院长、应用光学国家重点实验室主任；曾获两次获得国家科技进步二等奖(1995年、2001年)。是国际工程光学学会会员、中国科协常委，中国光学学会副理事长（法人代表）、秘书长。曹健林博士所从事的软X射线多层膜技术研究，取得了国内外同行专家公认的突出成就。在国际上首次采用考虑多重反射的物理模型，首次将软X射线多层膜膜厚、表面和界面等数据解析方法和程序，拟合精度达到了当前软X射线波段反射率测量的极限；首次用数值分析估算了光学常数的误差，精密测定了一批材料的软X射线超薄膜光学常数，填补了国际上这一方面的数据空白；主持设计研制了国内第一台离子束测射镀膜设备，技术性能达到该类产品的国际先进水平；制备的多层膜反射镜应用到国家重点工程，有效GL值达17.5，创世界最高纪录；为国际著名的英国卢瑟福实验室等提供X射线激光用多层膜反射镜，取得满意效果，为中国光学界争得了荣誉。在国内外学术刊物上发表论文80余篇。
《从新型电力系统的变发展看电力电子技术的挑战》
华为数字能源技术有限公司CTO黄伯宁
黄伯宁，华为技术有限公司Fellow，华为数字能源技术有限公司CTO，兼任数字能源技术规划部部长，及数字能源电力电子技术实验室主任，拥有核心专利80多件。1999年毕业于四川大学后加入华为技术有限公司，从事ICT电源领域，带领华为通信电源领先全球，在业界率先发布96%、98%效率整流器，建立TOP1竞争力品牌，实现每年20亿电源销售收入。为实现产品持续领先，黄伯宁先生于2016年从电源拓扑领域转身到基础电力电子器件、磁材料等基础技术领域，并先后推出了自研GaN、IGBT、SiC三大功率器件。
《GaN power devices today: reliable, price competitive and mass manufactured for enhancing performances, shrinking size and lowering cost of power conversion systems 》
（当今的GaN功率器件：可靠、具有价格竞争力并大规模生产，以提高功率转换系统的性能、缩小尺寸和降低成本）
英诺赛科欧洲总经理Denis Macron
Denis Macron，英诺赛科欧洲总经理。英诺赛科是致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由半导体和（电力）电子行业的专家和资深人士组成。 他们均来自世界一流的领先公司，在硅基氮化镓技术的开发和大规模量产方面拥有丰富的经验。为了展示英诺赛科在氮化镓技术领域拥有的潜力，并更加顺利地推广产品，英诺赛科还汇集了系统工程领域的专家，用于进行面向特殊应用和客户的开发板及其他电路系统的研制。公司目标是以更低的价格，向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件，并且实现GaN技术在市场的广泛应用。
《化合物半导体-下一个二十年》
三安光电股份有限公司副董事长兼总经理、厦门市三安集成电路有限公司董事长林科闯
林科闯，教授级高工，现任职三安光电股份有限公司副董事长、总经理，厦门市三安集成电路有限公司董事长，泉州三安半导体科技有限公司、厦门三安光通讯科技有限公司、厦门市三安纳米科技有限公司、安徽三安科技有限公司执行董事兼总经理。三安成立于2000年11月，总部坐落于厦门市，是世界知名的半导体研发制造与服务公司，拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站及院士工作站等研发平台，拥有各类专利近4000项， 2008年在上海证券交易所挂牌上市（证券代码：600703），在中国、美国、日本、德国、英国等全球多个国家建立分支机构。公司主要从事半导体新材料、外延、芯片与器件的研发、生产与销售，产品广泛应用于照明、显示、红外感测、新能源汽车、充电桩、5G、3D识别、云计算、基站、光伏逆变器等领域，已形成LED、微波射频、电力电子、光技术等四大核心业务板块。二十多年来，三安产品远销海内外，深受客户的信赖与认可，长期友好合作伙伴包括三星、意法半导体、TCL、理想汽车、Philips等，在全球半导体领域极具影响力。
《面向功率、射频和数字应用的氮化镓集成技术》
香港科技大学教授陈敬
陈敬，香港科技大学教授，行业实践包括在日本NTT LSI实验室和美国安捷伦科技从事III-V高速器件技术研发工作。陈教授自2000年起在香港科技大学任教，现为电子和计算机工程系正教授。他曾在国际期刊和会议论文集中发表300余篇论文，在GaN电子器件技术方面曾获得9项美国专利授权。他所带领的团队目前的研究重点在于开发电力电子、无线电/微波及耐高温电子应用等方面的GaN器件技术。他是IEEE会士，现为IEEE电子器件学会复合半导体器件与IC技术委员会成员。
本届论坛除了重量级开、闭幕大会，设有五大主题技术分会，以及多场产业峰会，将汇聚全球顶级精英，全面聚焦半导体照明及第三代半导体热门领域技术前沿及应用进展。同期展览展示环节，汇聚产业链最具代表性企业，精彩回顾半导体照明产业二十周年辉煌发展历程，并全链条聚焦第三代半导体产业发展。将最大程度为产业发展提供最开阔的国际视野，以前沿视角把握全球第三代半导体产业技术最新动向趋势，会期设定为四天，给业界充足的互动时间，论坛期间将有论文评选、现场抽奖等形式多样，丰富多彩的活动令人期待。
更多论坛进展信息，敬请关注半导体产业网、第三代半导体产业！
附论坛详细信息：
备注：11月15日前注册报名，享受优惠票价！
＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费。
＊IFWS相关会议：碳化硅功率电子、氮化镓功率电子、超宽禁带半导体、Mini/MicroLED技术；
＊SSL相关会议：半导体光源、半导体照明创新应用、Mini/MicroLED技术；
＊IFWS会议用餐包含：28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL会议用餐：27日晚餐、28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐。
线上报名通道：
组委会联系方式：
1.投稿咨询
白老师
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.赞助/参会/参展/商务合作
张女士
13681329411
zhangww@casmita.com
贾先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
协议酒店：
