天眼查知识产权信息显示，苏州汉骅半导体有限公司取得一项名为“深紫外 LED 芯片及其制备方法“，授权公告号 CN115566118B ，申请日期为 2022 年 10 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种深紫外 LED 芯片及其制备方法，包括：外延结构，所述外延结构包括依次堆叠设置的衬底、N 型层、有源发光层、P 型层和 P 型接触层，所述 P 型层为光反射性的 P 型层，所述外延结构形成有自所述 P 型接触层延伸至所述 N 型层的通孔，所述外延结构还包括覆盖所述通孔侧壁的绝缘介质层和覆盖至少部分所述绝缘介质层的第一导电层，所述第一导电层电连接所述通孔底部的所述 N 型层；所述外延结构还包括 N 型电极和 P 型电极，所述 N 型电极电连接所述第一导电层，所述 P 型电极电连接所述 P 型接触层；基板，所述外延结构设置在所述基板上，且所述衬底背向所述基板。通过采用倒装芯片设计，高反射电极可以进一步提高 UVC 光的出光效率。
