全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗(瑞士证券交易所股票代码:AMS)今日宣布,发布最新IR:6红外(IR)LED芯片技术。相较于艾迈斯欧司朗现有IR LED发射器芯片,该技术能将显示亮度提升35%,工作效率提高42%。
IR:6技术可适用于个人电脑中的生物特征认证系统(图片:艾迈斯欧司朗)
全新IR:6薄膜芯片技术,将助力制造商大幅度提升照明效果与图像质量,实现更快速、更准确的生物特征识别,并降低能耗以及延长电池续航时间,尤其针对安防摄像头、个人电脑及智能门铃中的生物识别认证系统等产品。
IR:6技术适用于闭路电视监控(CCTV)系统应用(图片:艾迈斯欧司朗)
在用于治疗组织损伤的光疗医疗设备领域,IR:6芯片凭借其卓越的光功率输出,使设备制造商能够在保持治疗效果的前提下,减少LED使用数量,从而减小设备尺寸并降低物料成本。
艾迈斯欧司朗OSLON® P1616高功率LED系列和OSLON® Black系列为首个承载这项新技术的产品。OSLON® P1616高功率LED系列采用1.6mm×1.6mm紧凑型封装;OSLON® Black系列提供多种发光角度选项,其中包括专为IR摄像头设计的新型矩形照明视场。
艾迈斯欧司朗产品市场经理Dominic Bergmann强调:“全新升级的IR:6技术使艾迈斯欧司朗的红外LED在亮度和效率方面在细分市场遥遥领先。客户若采用基于IR:6的新款LED替换现有红外LED,将能在降低功耗的同时,即时获得更出色的应用性能。”
IR:6:新一代红外LED技术
全新IR:6芯片技术在材料、结构和设计上进行了提升,实现卓越的性能表现。具体提升表现在:
· 提高芯片固有效率;
· 引入新型中央焊盘设计,优化电流分布并降低正向电压;
· 优化芯片表面的粗糙度,提高光解耦效率和亮度。
此外,全新的IR:6技术增添了以920nm为主导波长的发光功能,同时保留常规的850nm和940nm波长。得益于光电二极管对较短波长更高的灵敏度,920nm新选项相较于940nm选项能提供更高的信噪比(SNR),并且红曝现象较850nm更为微弱。
在发布时,IR:6技术已应用于以下专为空间受限应用设计的OSLON® P1616产品系列的“B”版本:
· OSLON® P1616 SFH 4180BS:提供920nm/940nm波长选项,辐射通量为1,485mW,发光角度为130°;
· OSLON® P1616 SFH 4181BS:提供920nm/940nm波长选项,辐射通量为1,550mW,发光角度为70°;
· OSLON® P1616 SFH 4182BS:提供920nm/940nm波长选项,辐射通量为1,650mW,发光角度为130°。
OSLON® P1616 SFH 4181BS产品图片(图片:艾迈斯欧司朗)
该技术还应用于现有OSLON® Black发射器的新版本:
· OSLON® Black SFH 4713B:采用850nm波长,辐射通量为980mW,发光角度为80°;
· OSLON® Black SFH 4714B:采用850nm波长,辐射通量为940mW,发光角度为150°;
· OSLON® Black SFH 47167B:采用850nm波长,辐射通量为940mW,提供110°×130°的矩形照明视场。
OSLON® Black SFH 4713B产品图片(图片:艾迈斯欧司朗)
IR:6芯片由位于艾迈斯欧司朗德国的雷根斯堡工厂生产。艾迈斯欧司朗掌握OSLON® P1616及OSLON® Black LED的完整供应链,包括从芯片到封装,确保客户对该产品的大批量供应充满信心。