国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“LED 外延片、LED 芯片及 LED 外延片的制备方法”的专利，公开号 CN 119153596 A，申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种 LED 外延片、LED 芯 片及 LED 外延片的制备方 法，属于发光二极管技术领域，LED 外延片包括衬底、外延层，外延层包括依次堆叠设置的 n 型电子层、n 型电子阻挡层、有源层、p 型空穴阻挡层、p 型空穴层和 p 型窗口层，p 型窗口层包括两个隧道结结构和夹设于两个隧道结结构之间的沿堆叠方向呈周期性分布的超晶格单元，隧道结结构包括依次堆叠设置的 p 型掺杂 InP 子层、未掺杂 InP 子层、n 型掺杂 InP 子层，超晶格单元包括依次堆叠设置的 AlxP 子层和 Ga1 xP 子层。本发明通过在 p 型窗口层中引入隧道结结构和超晶格单元所形成的超晶格结构，可以提高载流子的注入效率，降低电阻，提高电流扩展能力。
