由西江大学化工生命工学系姜文晟教授、延世大学赵正浩教授、汉阳大学金道焕教授组成的联合研究团队，于1月27日在《自然·电子学》（Nature Electronics）在线版上发表了超高分辨率OLED微型显示器（Micro Display）的核心技术，该技术可在高密度像素环境下实现无信号干扰的清晰画质。
随着利用增强现实技术的沉浸式内容需求不断增加，开发能够提供类似真实视觉信息，传递即时沉浸感的OLED微型显示器变得十分必要。然而，随着分辨率的提高，像素间距缩小至几微米，出现了电信号干扰，以及色彩范围和色纯度降低的问题。
为解决这一问题，精细地对像素间共享的空穴传输层进行图案化，以阻断流向相邻像素的漏电流至关重要。但目前广泛使用的小分子有机半导体，在实现高密度像素方面一直是个未解决的难题。研究团队开发出了可实现10000ppi以上超精细图案的有机半导体空穴传输材料，成功在高密度像素环境下实现了无信号干扰的高分辨率OLED元件。
研究人员利用基于硅（Si）半导体各向异性蚀刻的光刻工艺，开发出了一种技术，通过引入硅分子的交联空穴传输层，在大尺寸晶圆（6英寸）上也能实现微米级精度的超高分辨率像素。通过这项技术，研究团队证明了在高分辨率OLED像素阵列中，由电信号干扰导致的相邻像素发光现象得到了抑制。
此外，通过引入硅分子，能够控制有机半导体基空穴传输层的能级和空穴传输速度，从而提高了OLED的发光效率。此次研究成果在大幅改善了现有的微型显示器材料及图案工艺无法解决的像素干扰现象方面，具有重大意义。预计这将拓展并加速高分辨率微型显示器在构建超真实感增强现实方面的应用可能性。
此外，本研究由韩国科学技术信息通信部和韩国研究财团资助的中坚研究项目、全球前沿研究中心、STEAM研究项目以及纳米及材料技术开发项目支持完成。
（来源：CINNO）
