国家知识产权局信息显示，晶能光电股份有限公司申请一项名为“一种 GaN 基 LED 外延结构及其制备方法、LED 芯片”的专利，公开号 CN 119677254 A，申请日期为 2025 年 2 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种 GaN 基 LED 外延结构及其制备方法、LED 芯片，通过电子阻挡层减少电子泄露的同时，在外延结构中的多量子阱层与电子阻挡层之间，采用包含厚度较薄的 AlN 层的空穴注入层，不仅能降低空穴输运时的势垒屏障高度，还提供了空穴隧穿的有效路径，并增加了空穴注入时的能量,显著提高了空穴注入效率,增大注入到多量子阱层中的空穴浓度，进而增大 LED 的发光效率。
天眼查资料显示，晶能光电股份有限公司，成立于2006年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本38927.9181万人民币，实缴资本38927.9181万人民币。通过天眼查大数据分析，晶能光电股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息260条，此外企业还拥有行政许可93个。
