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LED显示屏, 你对它的了解有多深?

LED之所以受到广泛重视而得到迅速发展,是与它本身所具有的优点分不开的。LED的发展前景极为广阔,正朝着更高亮度、更高耐气...

检测LED频闪与频闪效应的方法

LED频闪效应指的是两个概念。一是频闪:即电光源光通量波动的深度,波动深度越大,频闪深度越大。二是频闪效应:即电光源频闪...

浅述LED晶圆的制作工艺

本文阐述了LED晶圆的制作工艺,仅供参考。

LED照明迎来新增长 芯片原材料镓和铟金属受益

LED的核心材料是镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前,基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟...

LED衬底|基板(substrate)

通俗来讲,LED和半导体激光器等的发光部分的半导体层,是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据LED的发光波长不同而区分使用...

外延生长|磊晶(epitaxial growth)

在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累...

倒装芯片(flip-chip bonding)

连接芯片表面和底板时,并不是像引线键合一样那样利用引线连接,而是利用阵列状排列的,名为焊点的突起状端子进行连接。与引...

LED照明迎来新增长 芯片原材料镓和铟金属受益

LED的核心材料是镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前,基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟...

浅述LED晶圆的制作工艺

本文阐述了LED晶圆的制作工艺,仅供参考。

GaN氮化镓(gallium nitride)

由镓(Ga)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45eV(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(Si)要宽3倍。利用该特性,GaN主要应...

LED芯片使用过程中经常遇到的问题及解析方案

详解LED芯片使用过程中经常遇到的问题及解析方案,仅供参考。

MOCVD技术在光电薄膜中的应用

MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此,MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术,MOCVD...

LED照明灯具对低压驱动芯片的要求

LED照明灯具对低压驱动芯片有什么要求:驱动芯片的标称输出电流要求大于1.2-1.5A,作为照明用的LED筒灯光源,1W功率的LED光源...

可见光通信(visible light communications)

可见光通信指利用肉眼看得见的“可视光”传递信息的通信技术。主要利用照明器具和信号机等显示设备以及汽车车灯等配备发光二...

LED芯片的技术发展状况

随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波长625 nm AlGaInP基超高亮...

LED照明灯具对低压驱动芯片的要求

LED照明灯具对低压驱动芯片有什么要求:驱动芯片的标称输出电流要求大于1.2-1.5A,作为照明用的LED筒灯光源,1W功率的LED光源...

LED芯片使用过程中经常遇到的问题及解析方案

详解LED芯片使用过程中经常遇到的问题及解析方案,仅供参考。

知识普及:LED照明12大独特优势

节能可持续发展已不再是一个选择性的问题,而是当今世界未来发展的必行之路。以LED为代表的新光源照明取代传统光源,正引发照...

生产五部曲诠释LED照明产品

自从产生外界照明以来,我们把照明划分为三个时代:灯丝灯泡时代(白炽灯)、气体灯泡时代(萤光灯)、半导体发光时代(LED)。而其...

解析LED正负极判别方法

LED节能灯焊接过程中,常遇到如何辨认发光二极管的正负极,这部尤其重要,灯亮不亮就在他了!

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