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LED照明设计过程中关键问题全析

要设计产品,首先要确定用谁的LED封装结构;接下来考虑怎样适应这些封装形式; 由我们选择的机会不多,光学结构是建立在这些...

什么是LED封装

LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的,但却有很大的特殊性。一般情况下,分立器件的管芯被密封在封装...

解读EMC封装成形常见缺陷及其对策

塑料封装以其独特的优势而成为当前微电子封装的主流,约占封装市场的95%以上。塑封产品的广泛应用,也为塑料封装带来了前所未...

什么是OLED

OLED,即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode),又称为有机电激光显示(Organic Electroluminesence Display, OELD)...

LED显示屏原材料国产与进口之间的差别

一般LED显示屏、LED电子显示屏、LED全彩显示屏、LED单元板等之间根据品牌和使用使用原材料的不同,一般都会存在LED显示屏价格...

LED显示屏, 你对它的了解有多深?

LED之所以受到广泛重视而得到迅速发展,是与它本身所具有的优点分不开的。LED的发展前景极为广阔,正朝着更高亮度、更高耐气...

检测LED频闪与频闪效应的方法

LED频闪效应指的是两个概念。一是频闪:即电光源光通量波动的深度,波动深度越大,频闪深度越大。二是频闪效应:即电光源频闪...

浅述LED晶圆的制作工艺

本文阐述了LED晶圆的制作工艺,仅供参考。

LED照明迎来新增长 芯片原材料镓和铟金属受益

LED的核心材料是镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前,基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟...

LED衬底|基板(substrate)

通俗来讲,LED和半导体激光器等的发光部分的半导体层,是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据LED的发光波长不同而区分使用...

倒装芯片(flip-chip bonding)

连接芯片表面和底板时,并不是像引线键合一样那样利用引线连接,而是利用阵列状排列的,名为焊点的突起状端子进行连接。与引...

外延生长|磊晶(epitaxial growth)

在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累...

GaN氮化镓(gallium nitride)

由镓(Ga)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45eV(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(Si)要宽3倍。利用该特性,GaN主要应...

LED照明迎来新增长 芯片原材料镓和铟金属受益

LED的核心材料是镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前,基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟...

浅述LED晶圆的制作工艺

本文阐述了LED晶圆的制作工艺,仅供参考。

LED芯片使用过程中经常遇到的问题及解析方案

详解LED芯片使用过程中经常遇到的问题及解析方案,仅供参考。

MOCVD技术在光电薄膜中的应用

MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此,MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术,MOCVD...

LED照明灯具对低压驱动芯片的要求

LED照明灯具对低压驱动芯片有什么要求:驱动芯片的标称输出电流要求大于1.2-1.5A,作为照明用的LED筒灯光源,1W功率的LED光源...

LED芯片的技术发展状况

随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波长625 nm AlGaInP基超高亮...

LED照明灯具对低压驱动芯片的要求

LED照明灯具对低压驱动芯片有什么要求:驱动芯片的标称输出电流要求大于1.2-1.5A,作为照明用的LED筒灯光源,1W功率的LED光源...

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