美国需在芯片发展上下大力气，半导体产业联盟及行业研究公司提出建议

战略性先进电子材料重点专项—“面向下一代移动通讯的GaN基射频器件关键技术及系统应用”项目启动会在深圳召开

2016年国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项—“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”项目启动会在南京大学召开...

【IFWS 2016】Won-Jae LEE: 韩国SiC相关研究小组的最近研发现状

【IFWS 2016】冯哲川: n + 4H SiC上的同质外延4H-SiC薄膜和深紫外-紫外-可见光的光谱特性

2016年11月14日，第三代半导体产业技术创新战略联盟第二次会员大会在北京中奥凯富国际酒店召开。

【IFWS 2016】山东大学教授徐现刚: 横向生长的碳化硅晶体位错减少

11月15日，在科学技术部火炬高技术产业开发中心、北京市科学技术委员会、广东省科学技术厅的指导和支持下，第三代半导体产业...

【IFWS 2016】刘扬: 基于选区外延技术制备具有高质量MOS界面的Si衬底上凹槽栅增强型GaN基MOSFET

【IFWS 2016】Marianne GERMAIN：大直径硅外延片上的氮化镓高效率的功率切换

【IFWS 2016】陈敬: 详解氮化镓功率器件MIS门结构的稳定性和可靠性

【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅衬底AlGaN/GaN基HEMT的异质外延生长和器件特征

【IFWS 2016】程凯: 电力电子应用 硅基氮化镓平台

【IFWS 2016】张翼: La2O3/SiO2钝化和铜金属化的氮化镓增强型HEMT器件

【IFWS 2016】Mark Mackee: 单晶反应腔技术到电力电子大批量制造的GaN-Si MOCVD

【IFWS 2016】yuhao zhang: 电力电子采用的低成本高性能的垂直GaN二极管和晶体管

【IFWS 2016】Fred C. LEE: GaN引领产业变革

【IFWS 2016】北京市科委双新处副处长王红梅: 北京高度重视第三代半导体技术和产业的发展

【SSLCHINA 2016】孔月婵：fT > 260 GHz时高性能超薄第四组InAlGaN势垒HEMT器件

【IFWS 2016】吕元杰: 采用凹栅工艺提升AlGaN/GaN HFETs器件性能