利用夏普技术优势 鸿海拟在珠海建尖端半导体厂

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2018国际第三代半导体专业赛全球总决赛颁奖典礼在京盛大举行

12月22日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟与顺义区人民政府联合主办,中关村科技园区顺义园管委会具体承办的中国创新创...

助推半导体制造业产业升级 ATEN宏正亮相中国国际半导体博览会

  2018年12月11日至13日,ATEN宏正亮相在上海举办的首届全球IC企业家峰会暨第十六届中国国际半导体博览会。此次展会由中国

告急!ASML供应商突遭火灾,明年初的EUV光刻机交货将延期

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西工大新型光电功能晶体研究取得突破

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第三届国际紫外材料与器件会议(IWUMD-2018)第二轮通知

第三届紫外材料和器件国际研讨会会议第二轮通知

西安交通大学王艳丰:基于YSZ介质层的氢终端金刚石场效应晶体管

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北京大学刘放:高温热退火工艺对分子束外延二维氮化硼薄膜晶体质量的影响

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山东大学陶绪堂教授:高质量氧化镓单晶的生长及性能表征

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郑州大学教授、名古屋大学客座教刘玉怀:六方氮化硼的生长

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日本大阪市立大学Jianbo LIANG:通过表面激活键在室温下直接结合金刚石和硅

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西安电子科技大学赵子越博士:基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

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台湾长庚大学邱显钦教授:适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案

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四川益丰基础研发部部长王祁钰:100nm 和 60 nm Si 上GaN MMIC工艺和产品

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中科院半导体所张韵研究员:III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器

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苏州能讯高能半导体有限公司李元:以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性

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西安电子科技大学特聘教授敖金平:用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管

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香港应用科技研究院总监袁述:新一代碳化硅矩阵变换器

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IFWS2018:超宽禁带半导体材料与技术研究新进展

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IFWS2018:聚焦前沿第三代半导体微波射频技术研究进展

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