扬杰科技：契合产业发展规律，铸就功率半导体龙头

国家重点研发项目“大功率光纤激光材料与器件关键技术研究”将迎中期检查

从产品到应用 GaN（氮化镓）将成为功率半导体市场发展新动力

7nm工艺电容问题有望破解，高通NanoRings技术有啥厉害的？

宜普电源转换公司（EPC）推出比等效MOSFET小型化8倍的40 V氮化镓功率晶体管

大国重器获进展 中国芯片高端装备迈向新征程

日本防务省资助富士通公司研究金刚石和碳化硅衬底散热技术

国内首次实现第二代连续碳化硅纤维量产

快抢AI、5G市场 台积电砸1兆启动 5奈米 3奈米 投资大计

美国研究开发高效光电探测器

中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海投产

国家电网全球能源互联网研究院杨霏：碳化硅材料和电力器件在电网当中的应用

山东大学徐现刚教授：碳化硅单晶生产技术的现状和未来的发展

　　2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京...

中科院微电子所研究员黄森：基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造

中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告。

英诺赛科副总经理金源俊：200mm CMOS晶圆厂无分散增强型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工艺

北京大学微电子学院陶明：高击穿电压高和低电流崩塌的常关硅基GaN MOSHEMT

“氮化镓功率电子器件”技术分会上，来自德国ALLOS Semiconductors GmbH市场总监Alexander LOESING带来“无碳掺杂GaN-on-Si大...

　　2017年11月1日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办的第...