- 2020-11-17 20:15【IFWS2020】聚焦新一代电源与充电技术产业应用的机遇挑战
- 2020-11-11 15:07【IFWS2020】超宽禁带半导体技术发展与趋势
- 2020-11-10 17:40【IFWS2020】功率电子器件及封装技术前沿展望之氮化镓专场
- 2020-11-10 16:49【IFWS2020】功率电子器件及封装技术前沿展望之碳化硅专场
- 2020-11-05 16:28【IFWS 2020】微波射频与5G移动通信的发展契机与可能性
- 2016-11-25 15:44【IFWS 2016】Won-Jae LEE: 韩国SiC相关研究小组的最近研发现状
- 2016-11-25 15:15【IFWS 2016】冯哲川: n + 4H SiC上的同质外延4H-SiC薄膜和深紫外-紫外-可见光的光谱特性
- 2016-11-25 11:41【IFWS 2016】山东大学教授徐现刚: 横向生长的碳化硅晶体位错减少
- 2016-11-22 13:32【IFWS 2016】刘扬: 基于选区外延技术制备具有高质量MOS界面的Si衬底上凹槽栅增强型GaN基MOSFET
- 2016-11-22 13:09【IFWS 2016】Marianne GERMAIN：大直径硅外延片上的氮化镓高效率的功率切换
- 2016-11-22 13:02【IFWS 2016】陈敬: 详解氮化镓功率器件MIS门结构的稳定性和可靠性
- 2016-11-22 13:00【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅衬底AlGaN/GaN基HEMT的异质外延生长和器件特征
- 2016-11-22 12:58【IFWS 2016】程凯: 电力电子应用的硅基氮化镓平台
- 2016-11-22 12:55【IFWS 2016】张翼: La2O3/SiO2钝化和铜金属化的氮化镓增强型HEMT器件
- 2016-11-22 12:53【IFWS 2016】Mark Mackee: 单晶反应腔技术到电力电子规模制造的GaN-Si MOCVD
- 2016-11-22 12:34【IFWS 2016】yuhao zhang: 电力电子采用的低成本高性能的垂直GaN二极管和晶体管
- 2016-11-22 11:12【IFWS 2016】Fred C. LEE: GaN引领产业变革
- 2016-11-21 15:55【IFWS 2016】北京市科委双新处副处长王红梅: 北京高度重视第三代半导体技术和产业的发展
- 2016-11-21 08:39【IFWS 2016】孔月婵：fT > 260 GHz时高性能超薄第四组InAlGaN势垒HEMT器件
- 2016-11-21 08:37【IFWS 2016】吕元杰: 采用凹栅工艺提升AlGaN/GaN HFETs器件性能
- 2016-11-21 08:30【IFWS 2016】邱显钦: 用SOI氮化镓基板技术的高性能开关电源和频射功率器件
- 2016-11-21 08:26【IFWS 2016】David Lishan: 氮化镓基器件采用等离子切割的生产效益
- 2016-11-21 08:12【IFWS 2016】綦振瀛: 射频通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生长
- 2016-11-19 15:40【IFWS 2016】河北半导体研究所王元刚：加速推动GaN器件在无线通讯系统中的产业化应用
- 2016-11-19 15:22【IFWS 2016】中兴通讯射频功放平台总工刘建利：未来移动通信基站GaN射频功率器件渐成主流
- 2016-11-19 10:10【IFWS 2016】宇治原徹: 高质量碳化硅的溶液生长研究
- 2016-11-19 10:04【IFWS 2016】周达成: 高电压碳化硅功率器件的研究进展
- 2016-11-19 09:58【IFWS 2016】Sima DIMITRIJEV教授: 电力电子设备的后硅时代
- 2016-11-18 19:00【IFWS 2016】全球顶级碳化硅电力电子器件专家聚焦前瞻研究（下）
- 2016-11-18 14:31【IFWS 2016】全球顶级碳化硅电力电子器件专家聚焦前瞻研究（上）
- 2016-11-18 12:30【IFWS 2016】北京市科委新能源处与新材料处长许心超：第三代半导体正处于发展的窗口期
- 2016-11-17 02:09【IFWS 2016】新一代移动通信技术带来的机遇和挑战
相关搜索
今日搜索排行
本周搜索排行
本月搜索排行
