- 2019-11-27 16:54南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌：纳米模板生长和制备非/半极性面LED及Micro-LED器件
- 2019-11-27 12:06苏州锴威特半导体股份有限公司总裁丁国华:改进碳化硅MOSFET RONSP的器件结构和工艺研究
- 2019-11-27 11:40国家电网杨霏教授：碳化硅高压电力电子器件及应用进展
- 2019-11-27 11:36美国NAURA-Akrion首席技术官Ismail I. KASHKOUSH：下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术
- 2019-11-27 10:53比利时IMEC Denis MARCON：200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的电路技术
- 2019-11-27 10:49美国Transphorm高级副总裁YifengWU：击穿电压超过650V同时结温超过150°C的氮化镓功率器件
- 2019-11-27 10:38日本德岛大学教授敖金平：常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展
- 2019-11-27 10:16中国科学院微电子研究所汤益丹：大电流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力电热分析
- 2019-11-27 10:11日本福井大学教授Masaaki KUZUHARA：基于半绝缘氮化镓衬底生长的高击穿电压氮化镓HEMT器件
- 2019-11-27 10:03英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统
- 2019-11-27 10:01加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁李湛明：宽禁带器件的设计和TCAD模拟
- 2019-11-26 21:17IFWS2019：功率电子器件及封装技术分会Ⅱ成功召开
- 2019-11-26 18:30IFWS2019：功率电子器件及封装技术分会Ⅰ成功召开
- 2019-11-19 09:17IFWS2019丨功率电子器件及封装技术 (GaN和SiC)论坛将于26日召开
- 2019-11-18 09:31聚飞光电拟募投7.2亿元 加码光电器件LED产品
- 2019-11-12 15:41议程出炉，“AI 智慧照明、集成元器件半导体技术研讨会”即将召开
- 2019-11-02 10:16SSLCHINA & IFWS2019丨“固态紫外器件技术”论坛11月27日召开
- 2019-10-30 17:32国星光电股份有限公司白光器件事业部副总经理谢志国：LED封装元器件新时代的技术进展及创新应用
- 2019-09-23 12:56GaN电力电子器件细分市场及前景分析
- 2019-09-10 09:00科锐与德尔福科技开展汽车SiC器件合作
- 2019-08-28 10:29万亿级电子元件强势来袭，武汉国际电子元器件、材料及生产设备展览会将于2020年举办
- 2019-08-19 09:40国星光电LED器件及制造方法、LED显示模组获专利证书
- 2019-08-08 23:24CSA、CASA“紫外光电器件培训会”在扬州成功举办
- 2019-08-07 12:15关于联盟组团赴俄罗斯参加国际紫外器件学术会议的通知
- 2019-07-20 10:59紫外光电器件培训班开始招生啦！
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- 2019-07-04 16:19关于召开紫外光电器件培训班的通知
- 2019-06-06 09:175G通信对未来射频器件的新要求
- 2019-05-24 17:48第31届IEEE国际功率半导体器件与集成电路会议(ISPSD 2019)圆满举办
- 2019-05-22 10:322020 武汉国际电子元器件、材料及生产设备展览会将于明年5月在武汉盛大召开
- 2019-04-23 11:41三星发布植物照明高光子效率全光谱LED器件
- 2019-04-16 09:32兼具高亮度/高效率和长寿命红绿蓝三基色QLED器件问世
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- 2019-04-01 09:43士兰微2018年营收破30亿 分立器件录得较快增长
- 2019-03-07 13:24植入LED器件，无痛心脏复苏治疗方法或能实现
- 2019-01-24 15:36【最新日程】ISPSD 2019第31届国际功率半导体器件和集成电路会议5月召开
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- 2019-01-10 09:24国星光电：拟10亿投资新一代LED封装器件及芯片扩产项目
- 2019-01-01 08:07ISPSD 2019 第31届国际功率半导体器件与集成电路会议将在上海举办
- 2018-12-14 16:25第三届国际紫外材料与器件会议（IWUMD-2018）在昆明成功举办
- 2018-12-06 09:39第三届国际紫外材料与器件会议9日即将在昆明揭幕
- 2018-11-30 14:08第三届国际紫外材料与器件会议将于12月9~12日在昆明召开
- 2018-11-28 14:26第三届国际紫外材料与器件会议（IWUMD-2018）将于12月9日在昆明召开
- 2018-11-21 11:54鸿利智汇回购注销部分白光LED器件板块限制性股票
- 2018-11-19 09:31浙江省市场监督管理局抽查半导体器件2批次不合格
- 2018-11-12 11:30ISPSD 2019 第31届国际功率半导体器件与集成电路会议将在上海举办
- 2018-11-07 14:31第三届国际紫外材料与器件会议（IWUMD-2018）第二轮通知
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- 2018-11-02 08:46台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
- 2018-11-01 20:28苏州能讯高能半导体有限公司李元：以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性
- 2018-11-01 20:04加拿大滑铁卢大学William WONG教授：通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED
- 2018-11-01 19:51厦门大学电子科学系吕毅军教授：基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试
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- 2018-10-31 18:12天津大学材料科学与工程学院教授陆国权：电动汽车用平面型双面水冷碳化硅模块的封装关键技术
- 2018-10-31 18:04法国国家科学研究中心(CNRS)科学家Cyril BUTTAY：10 kV SiC MOSFET封装之电气和热性能之间的权衡
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- 2018-10-30 15:38第三届国际紫外材料与器件会议（IWUMD-2018）通知
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- 2016-11-21 08:37【IFWS 2016】吕元杰: 采用凹栅工艺提升AlGaN/GaN HFETs器件性能
- 2016-11-21 08:30【IFWS 2016】邱显钦: 用SOI氮化镓基板技术的高性能开关电源和频射功率器件
- 2016-11-21 08:26【IFWS 2016】David Lishan: 氮化镓基器件采用等离子切割的生产效益
- 2016-11-21 08:12【IFWS 2016】綦振瀛: 射频通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生长
- 2016-11-19 15:40【IFWS 2016】河北半导体研究所王元刚：加速推动GaN器件在无线通讯系统中的产业化应用
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