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- 2022-11-08 10:46日企京瓷开发生长低缺陷micro LED氮化镓器件新工艺
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- 2022-01-04 14:04欧普照明：将GaN（氮化镓）技术应用于照明驱动电源上
- 2021-12-15 17:03上海大学任开琳：一种新型氮化镓基Micro-LED及其驱动HEMT的单片集成结构
- 2021-11-30 14:23第三代半导体产业乘风破浪，谁将会傲立潮头？
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- 2020-12-04 17:06苏州量芯微半导体傅玥：氮化镓功率器件，应用起航
- 2020-12-04 16:46英诺赛科陈钰林：硅基氮化镓产业化进展与市场前景
- 2020-11-26 16:21IFWS2020：功率电子器件及封装技术分会氮化镓专场深圳召开
- 2020-11-10 17:40【IFWS2020】功率电子器件及封装技术前沿展望之氮化镓专场
- 2020-06-15 11:38碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC助力降低5G基站成本
- 2020-06-11 08:45碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC为 5G 铺平道路
- 2020-05-20 10:05科研人员研发新型氮化镓器件 5G技术峰值速率超预期
- 2020-04-28 08:09【极智课堂】深圳大学材料学院刘新科：基于氮化镓单晶衬底的半导体器件
- 2020-04-07 10:58利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片，将 microLED 应用于硅产业领域
- 2020-02-29 09:40【极智课堂】大连芯冠王荣华：从快充谈起氮化镓功率器件的应用
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- 2019-11-29 10:52南昌大学张建立研究员：面向长波段与低电流密度的硅基氮化镓 LED
- 2019-11-28 18:02南京电子器件研究所高级工程师张凯：一种新型毫米波氮化镓高线性晶体管
- 2019-11-28 17:58台湾长庚大学教授邱显钦：适用于第五代行动通讯六吋氮化镓微波功放技術及基站功率电源模块
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- 2019-11-28 14:40河北半导体研究所王毅：一种采用氮化镓MMIC和的分离FET器件的HMIC封装技术的便携X波段功率放大器
- 2019-11-28 14:33西安电子科技大学教授刘志宏：高频硅基氮化镓晶体管
- 2019-11-28 09:38德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理Peter BRÜCKNER：高频氮化镓HEMT器件和MMIC
- 2019-11-27 17:42日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长坂田修身：同步辐射X射线衍射法实现氮化镓衬底及同质外延薄膜晶格面倾斜可视化
- 2019-11-27 17:39俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师Andrey SMIRNOV：碳化硅生长和衬底建模以及基于MOVPE技术的氮化镓生长模拟
- 2019-11-27 10:49美国Transphorm高级副总裁YifengWU：击穿电压超过650V同时结温超过150°C的氮化镓功率器件
- 2019-11-27 10:45加拿大GaN Power副总裁兼联合创始人傅玥：氮化镓：启动未来
- 2019-11-27 10:21德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA：通过高品质硅基氮化镓外延以实现无碳掺杂的高隔离性和高动态表现
- 2019-11-27 10:11日本福井大学教授Masaaki KUZUHARA：基于半绝缘氮化镓衬底生长的高击穿电压氮化镓HEMT器件
- 2019-11-27 10:03英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统
- 2019-11-26 21:13中国科学院院士、南昌大学副校长江风益：从硅基氮化镓LED进展看半导体照明未来
- 2019-11-26 14:59美国国家工程院院士、加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm董事长Umesh K. MISHRA：氮化镓功率电子的价值前景
- 2018-11-13 14:04硅基氮化镓技术助力5G发展
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- 2018-11-01 20:28苏州能讯高能半导体有限公司李元：以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性
- 2018-11-01 20:21西安电子科技大学特聘教授敖金平：用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管
- 2018-10-31 19:00西安交通大学田震寰博士：激光打孔和双衬底转移技术制备金字塔型柔性氮化镓基LED
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- 2017-12-21 09:22从产品到应用 GaN（氮化镓）将成为功率半导体市场发展新动力
- 2017-12-21 09:17宜普电源转换公司（EPC）推出比等效MOSFET小型化8倍的40 V氮化镓功率晶体管
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