- 2019-11-27 11:21日本德岛大学周继禹：高铝组分的AlGaN/GaN异质结pH传感器
- 2019-11-27 10:38日本德岛大学教授敖金平：常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展
- 2018-11-02 08:49西安电子科技大学赵子越博士：基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
- 2017-11-07 18:04张连：选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器
- 2017-11-05 14:40南京电子器件研究所高级工程师吴少兵：W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器
- 2016-11-22 13:00【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅衬底AlGaN/GaN基HEMT的异质外延生长和器件特征
- 2016-11-21 08:37【IFWS 2016】吕元杰: 采用凹栅工艺提升AlGaN/GaN HFETs器件性能
- 2015-11-05 09:57【SSLCHINA 2015】杨学林：采用较大晶格失配引致应力控制技术在Si衬底生长高迁移率AlGaN/GaN异质结
相关搜索
今日搜索排行
本周搜索排行
本月搜索排行
