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- 2024-07-29 14:34德高化成第三代半导体GaN倒装芯片LED封装制造扩产项目开工
- 2023-12-12 16:46韩国高校实现石墨烯基板生长柔性GaN Micro LED阵列
- 2023-09-18 11:05晶能光电周名兵：硅衬底GaN基近紫外LED技术开发及应用
- 2023-03-14 14:26鸿海携手阳明交大等开发高色纯度InGaN红光Micro LED
- 2023-01-29 13:50厦门大学研究团队发表GaN基Micro LED重要成果
- 2023-01-12 18:12Sundiode与Soft-Epi开发全InGaN堆叠式RGB MicroLED
- 2022-12-22 12:06中科潞安牵头大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
- 2022-11-03 14:18MICLEDI宣布研发出50nm半峰全宽630nm波长红色GaN MicroLED
- 2022-08-17 18:23上海福赛特：打造中国领先的LED/GaN半导体AMHS设备提供商
- 2022-07-12 09:44GaN将给智能快充领域带来什么新机会？
- 2022-06-23 11:24限时回放|强芯沙龙第二期精彩不容错过！大咖做客畅聊GaN功率半导体的现在与未来
- 2022-05-24 11:44韩企Soft-Epi：可利用现有MOCVD批量生产红色LED 正在推出用于MicroLED的GaN红色外延片
- 2022-05-10 11:02韩国GaN技术开发商Soft-EPi开发红色InGaN外延
- 2022-01-04 14:04欧普照明：将GaN（氮化镓）技术应用于照明驱动电源上
- 2021-12-28 08:58苏州纳米所刘建平团队研制国产GaN基绿光激光器性能再突破！
- 2021-12-24 18:09中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所唐永军：硅衬底GaN基激光器研究进展
- 2021-12-15 17:35中山大学张佰君：单颗电驱动金字塔结构InGaN/GaN Micro-LED及其在光遗传学中的应用
- 2021-12-15 17:12南京大学许非凡：GaN基Micro-LED光源的高速可见光通信研究
- 2021-12-13 10:02中民研究院常务副院长闫春辉博士：维持Haitz定律：超高电流密度下改善高功率GaN基LED的Droop效应
- 2021-12-13 09:44福州大学孙捷教授：低维纳米材料在GaN LED芯片上的应用
- 2021-10-25 17:14英诺赛科邹艳波：GaN助力LED驱动电源轻薄化
- 2021-10-20 16:43Porotech开发出全球首款天然红InGaN基Micro LED显示器，显示面积0.55英寸
- 2021-10-19 18:20LEDCON 2021前瞻：GaN助力LED电源轻薄化
- 2021-08-12 15:56Micro LED显示器厂商JBD与GaN Micro LED材料开发商Porotech达成合作
- 2021-08-09 16:24晶方科技拟投资第三代半导体领域GaN器件全球领先者Vis IC公司
- 2021-04-19 13:45研究人员发现一种可量化不同铟浓度下氮化铟镓(InGaN)量子阱中成分波动状况的方法
- 2021-03-19 12:04UCSB宣称已首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基红光Micro LED芯片
- 2021-03-05 14:12SiC和GaN功率半导体将并驾齐驱，国产替代将是未来发展方向
- 2020-12-22 17:27苏州晶湛半导体张丽旸：应用于Micro-LED的大尺寸GaN外延片的最新进展
- 2020-12-09 18:23复旦大学田朋飞：基于GaN的可用于固态照明、显示和双向可见光通信的多功能器件
- 2020-12-09 15:59深圳大学刘新科：大面积MoS2-on-GaN范德华异质结的光子器件应用
- 2020-12-08 16:11三安光电副总经理张中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新进展
- 2020-12-07 15:57南京大学刘斌：具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备
- 2020-12-03 18:04天津工业大学于莉媛：GaN基器件电子辐照诱生缺陷表征和性能分析
- 2020-11-25 12:16英诺赛科骆薇薇：时代 “芯”机 “GaN”想“GaN”干
- 2020-10-20 18:01聚灿光电：力推GaN基高光效LED芯片扩产
- 2020-09-18 11:30北京大学教授沈波：AlGaN基深紫外发光材料和器件技术进展
- 2020-07-23 17:55UCSB团队利用MOCVD隧道结提高InGaN Micro LED效率
- 2020-06-15 11:38碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC助力降低5G基站成本
- 2020-06-11 08:45碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC为 5G 铺平道路
- 2020-05-19 09:37【收藏】第三代宽禁带半导体材料SiC和GaN 的研究现状
- 2020-05-11 10:33【极智课堂】刘志宏：面向5G应用的Si基GaN微波毫米波器件技术研究进展
- 2020-04-07 09:02募资15亿！华灿投资Mini/Micro LED、GaN功率器件等
- 2020-02-24 23:03【极智课堂】汪炼成：先进GaN基LED器件研究-从半导体照明到Micro-LED显示和可见光通信
- 2020-01-15 00:00新发现：新型衬底PSSA可显著提高AlGaN UV LED的效率
- 2020-01-14 11:30新发现：新型衬底PSSA可显著提高AlGaN UV LED的效率
- 2019-12-11 17:39挪威科学技术院院士Helge WEMAN：采用石墨烯衬底和透明底部电极的AlGaN纳米线外延 UV LED
- 2019-12-11 17:19厦门大学高娜：可原子尺度精确调控的AlN/GaN结构分选生长
- 2019-12-06 15:31Plessey开发出世界上首个硅基InGaN红光LED
- 2019-11-29 10:59中科院半导体所副研究员张逸韵：InGaN基超高能效LED核心材料及器件技术研究进展
- 2019-11-29 10:43福州大学孙捷教授：面向下一代主动驱动、高分辨GaNμ-LED显示
- 2019-11-29 10:10西安交通大学张敏妍：空气腔结构在GaN基垂直结构LED工艺中的影响
- 2019-11-28 14:13挪威科学技术院院士Helge WEMAN：采用石墨烯衬底和透明底部电极的AlGaN纳米线外延 UV LED
- 2019-11-28 10:53CASA发布SiC、GaN痕量杂质SIMS检测方法两项团体标准
- 2019-11-27 17:41美国亚利桑那州立大学助理教授鞠光旭：基于MOVPE技术生长GaN表面的原位相干X射线研究
- 2019-11-27 17:09中南大学教授汪炼成：设计制造复合金属等离激元同时提高GaN LED效率和显色指数研究
- 2019-11-27 13:12厦门大学高娜：可原子尺度精确调控的AlN/GaN结构分选生长
- 2019-11-27 11:25郑州大学Mussaab I. NIASS：蓝宝石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱结构的激光二极管中n-p电极对于p型电导率的影响
- 2019-11-27 11:21日本德岛大学周继禹：高铝组分的AlGaN/GaN异质结pH传感器
- 2019-11-27 10:53比利时IMEC Denis MARCON：200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的电路技术
- 2019-11-27 10:45加拿大GaN Power副总裁兼联合创始人傅玥：氮化镓：启动未来
- 2019-11-27 10:38日本德岛大学教授敖金平：常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展
- 2019-11-27 10:20加拿大多伦多大学教授吴伟东：用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片
- 2019-11-19 09:17IFWS2019丨功率电子器件及封装技术 (GaN和SiC)论坛将于26日召开
- 2019-11-06 09:42SSLCHINA&IFWS2019丨衬底、外延及生长装备（SiC·GaN）分会日程出炉
- 2019-09-23 12:56GaN电力电子器件细分市场及前景分析
- 2018-11-08 14:53日本名城大学副教授Motoaki IWAYA： AlGaN激光的现状与问题
- 2018-11-03 12:08复旦大学田朋飞教授：智能GaN基micro-LED阵列
- 2018-11-02 08:49西安电子科技大学赵子越博士：基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
- 2018-11-02 08:36四川益丰基础研发部部长王祁钰：100nm 和 60 nm Si 上GaN MMIC工艺和产品
- 2018-11-01 19:27南京大学陈琳：6英寸GaN衬底生长用HVPE反应腔的三维数值模拟
- 2018-11-01 18:41厦门大学教授黄凯：深紫外AlGaN多量子阱纳米柱LED中内量子效率和光提取效率的增强
- 2018-11-01 10:47沙特阿卜杜拉国王科技大学Kazuhiro Ohkawa教授：用于生长优化和反应器设计的AlGaN MOCVD仿真
- 2018-11-01 09:47北京大学副教授许福军：高质量AlN外延生长及AlGaN基深紫外LED研究
- 2018-10-31 17:51加拿大多伦多大学教授吴伟东：用于GaN功率晶体管的智能驱动器IC
- 2018-10-31 17:46北京大学冯玉霞博士：Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究
- 2018-07-27 09:10KAUST大学开发奈米AlGaN发光装置，可提升UV LED效能
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- 2018-04-16 09:38科锐与Nexperia签署GaN功率器件专利授权协议
- 2018-03-29 08:32飞利浦照明被Navigant Research评定为照明行业的物联网影响力先锋
- 2018-02-27 09:36技术荟|松下研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管
- 2018-02-24 09:15最新研究：InGaN量子井在LED的局限性
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- 2017-11-22 13:51韩国岭南大学教授Ja-soon JANG：GaN基LED器件可靠性特性分析方法
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- 2017-11-07 17:46英诺赛科副总经理金源俊：200mm CMOS晶圆厂无分散增强型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工艺
- 2017-11-07 17:40北京大学微电子学院陶明：高击穿电压高和低电流崩塌的常关硅基GaN MOSHEMT
- 2017-11-07 17:36Alexander LOESING：无碳掺杂GaN-on-Si大外延片实现低漏电流
- 2017-11-07 17:19加拿大多伦多大学教授Wai Tung NG:GaN功率晶体管的栅极驱动器集成电路
- 2017-11-07 16:02挪威科学技术大学教授Helge WEMAN：石墨烯/玻璃上AlGaN纳米线倒装紫外LED生长
- 2017-11-07 15:14美国密歇根大学教授Pei-Cheng KU：照明和显示应用GaN纳米结构的局部应变工程技术
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- 2017-11-06 16:29日本理化学研究所量子光电设备实验室首席科学家Hideki HIRAYAMA ：高效率AlGaN深紫外LED的研究进展
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- 2017-11-06 15:00英国布里斯托大学教授Martin KUBALL：极限GaN射频FETs - GaN-on-Diamond技术
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- 2017-08-21 10:16沟槽填充p型氮化镓可增加InGaN LED输出功率
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- 2017-03-06 09:04关于联盟组团赴欧参加ICNS学术会议暨欧洲GaN学术拓展精进之旅的通知
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- 2016-11-29 08:55【SSLCHINA 2016】中微半导体高级工艺工程师李洪伟：大尺寸基片上生长的GaN基LED和HEMT器件
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- 2016-11-21 08:37【IFWS 2016】吕元杰: 采用凹栅工艺提升AlGaN/GaN HFETs器件性能
- 2016-11-21 08:12【IFWS 2016】綦振瀛: 射频通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生长
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