近年来，随着各种半导体发光材料和器件的不断发展，新型显示技术与照明技术的结合更加紧密，为未来显示与照明技术的交叉和多元化应用奠定了基础。从器件角度看，新型显示与照明技术所对应的发光器件包括：Micro-LED、有机发光二极管（OLEDs）、量子点发光二极管（QLEDs）、半导体激光器、钙钛矿发光二极管（PerLEDs），以及其他新型半导体发光器件。其中，Micro-LED近年来发展尤为迅速，未来发展可期。
2018年10月23日-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心盛大召开。24日，“Micro-LED与其他新型显示技术”分会聚集了国内外知名专家和企业代表，共同探讨了Micro-LED等新型显示技术前沿进展。
“Micro-LED与其他新型显示技术分会”作为论坛重要分会之一，今年继续设定为“主题日”活动。分会得到了爱思强、德豪润达、国星光电、晶科电子的支持协办。上半场，来自加拿大滑铁卢大学William WONG教授、香港科技大学首席教授刘纪美、北京大学陈志忠教授、复旦大学张树宇副教授、广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌、俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM；下半场，由来自台湾交通大学佘庆威教授、南方科技大学副教授刘召军、厦门大学电子科学系教授，福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军、北京工业大学教授郭伟玲、南京大学电子科学与工程学院教授刘斌、德国爱思强产品管理总监Jens VOIGT、复旦大学副教授田朋飞等国内外知名专家学者企业代表为分会奉献了高水准研究报告。
下半场，首个报告是来自台湾交通大学佘庆威教授，他在《可实现全彩微显示的新型微结构LED》报告中表示，我们研究了一种新型微结构Nano-Ring (NR) LED，首先通过改变NRLED的环壁厚度，可以实现发光波长从480nm蓝光到535nm绿光的变化，接着在蓝光NRLED上喷涂红色量子点材料进行色彩转换，即可在同一材料上实现RGB全彩微显示。
南方科技大学副教授刘召军在《多功能化氮化镓基高分辨率Micro-LED显示器》研究报告。
厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说，显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术，获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
北京工业大学郭伟玲教授介绍了《高压LED和微显示芯片设计及制备技术》研究报告。
南京大学电子科学与工程学院刘斌教授带来了《氮化镓微/纳米LED与量子点混合结构的高品质白光器件》研究报告。报告中提出了一种新型微纳米III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED。采用紫外软纳米压印和光刻技术，制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米孔和微米孔阵列，然后将II-VI族核/壳结构量子点填充至微/纳米孔中，形成量子点与量子阱侧壁紧密耦合结构。该结构利用量子阱与量子点偶极子间耦合增强物理效应，发光激子的复合寿命大大提供，从而提升了LED器件的量子效率。
德国爱思强产品管理总监Jens VOIGT介绍了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解决方案》主题报告。他介绍说，爱思强的行星式反应器平台是生产具有最高一致性、重复性和缺陷控制标准的化合物半导体器件的已建立的平台，例如用VCSEL激光器证明的3D传感器技术，这是当前高容量需求的关键驱动因素之一。同样的要求组合也适用于Micro-LED技术：在低的缺陷水平下，结合外延层的高通量结构具有非常高的精度。行星式反应器平台技术已经被证明能够为所有RGB Micro-LED提供必要的生产条件。
复旦大学副教授田朋飞分享了《智能GaN基micro-LED阵列》研究报告。GaN基micro-LED (霯ED)阵列可用于高亮度微显示、高效率固态照明和高速可见光通信的高带宽发光芯片。通过结合以上功能，可以实现用于大数据和物联网的智能霯ED系统。至今为止，还未有将霯ED阵列用于高带宽探测器(PD)的报道。
可见光通信(VLC)是一种有前途的无线通信，用于补充现有的无线通信技术，以满足不断增长的高速通信需求。基于GaN基LED的可见光通信引起了人们极大的兴趣。但是由于商用大尺寸LED具有较低调制带宽，这限制了可实现的VLC数据速率，因此新型GaN基μLED被用来提高光电调制带宽，进而提高数据速率。大多数的研究都集中在使用霯ED作为发射端来传递信号，然而，基于GaN的μLED也可以用作PD来进行可见光通信。【根据会议现场资料整理，如有出入敬请谅解！】
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