SSLCHINA2020：探索可靠性与热管理技术最新进展

 

芯片结温一直是制约半导体器件功能和寿命的重要因素，相关的热管理技术与可靠性分析已经从单个产品朝整个系统的面向发展。在这一过程中新型散热材料、热管理技术、面向可靠性设计、故障数据与失效分析、制造过程中的控制及可靠性筛选、寿命加速老化测试方法、失效模式与仿真模拟等技术的进步等都影响整个系统的可靠性。

 

本届论坛的“可靠性与热管理技术”分会将从国内外，不同维度探讨技术的最新进展与挑战。天津工业大学电气工程与自动化学院院长、教授赵丽霞与华中科技大学能源与动力工程学院院长，中欧清洁与可再生能源学院中方院长罗小兵共同担任本届分会主席，香港科技大学教授李世玮、武汉大学教授刘胜、北京工业大学教授郭伟玲、桂林电子科技大学教授杨道国等精英专家们组成分会委员团，为分会提供强力支持。

 

会上，德国英戈尔施塔特应用技术大学教授Gordon ELGER、北京工业大学教授、光电子技术教育部重点实验室副主任郭伟玲，江苏博睿光电有限公司副总经理梁超，佛山市香港科技大学LED-FPD工程技术研究开发中心&港科技术(佛山)有限公司技术总监赵惠珊，天津工业大学电气工程与自动化学院副教授于莉媛，中山大学电力电子及控制技术研究所所长、教授刘扬，复旦大学青年研究员樊嘉杰，电子科技大学刘成艺，桂林电子科技大学王浩洁等来自国内外高校、科研院所的精英专家们将联袂带来精彩报告，分享前沿研究成果。

 

本届论坛紧扣国家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯机遇·助力新基建”为主题，届时两场国际性盛会同台亮相，先进技术热点高度聚焦，政产学研用行业领袖齐聚，共商未来产业发展大计。

 

11月23-25日，深圳会展中心见！

 

 

（备注：日程会有小幅改动，请以会议现场为准！）

 

部分嘉宾


分会主席：赵丽霞  天津工业大学电气工程与自动化学院院长、教授

 

长期从事宽禁带GaN基半导体材料、器件及可靠性研究，特别是在晶圆级横向多孔GaN半导体材料的可控制备、高带宽 GaN 基光通信器件及可靠性和失效机理等方面取得了一系列有意义的成果。先后主持国家重点研发计划、科技部国际合作及基金委项目14项，发表论文100余篇，授权发明专利21项。入选中国科学院第一届“引进杰出技术人才”计划，获中国电子学会优秀科技工作者荣誉称号。目前担任全国微束分析标准化技术委员会表面化学分技术委员会委员，Chinese Physics Letters/Chinese Physics B/物理学报/物理期刊编委，天津市电工电能新技术重点实验室学术委员会委员，天津市装备制造与应用研究国际联合研究中心负责人。

分会主席：罗小兵  华中科技大学能源与动力工程学院院长，教授

 

研究方向为LED封装与应用、极端热管理、微纳尺度传热。科研项目涉及国家杰出青年基金，器件封装中流动与传热；国家自然基金面上项目：大功率LED荧光粉涂覆的流动热成型建模及实验研究（13年批），大功率LED荧光粉光致发热的理论与实验研究（15年批）； 国家重点研发计划课题，紫外LED封装；教育部博士点基金，大功率LED封装界面热阻建模和工艺控制等。

 

先后获得2016 IEEE CPMT Exceptional Technical Achievement Award（IEEE封装协会杰出技术成就奖），2016年国家技术发明二等奖，2015湖北省自然科学一等奖，2015教育部技术发明一等奖。第一发明人授权美国专利3项，中国发明专利29项，出版英文专着和章节4个，出版中文专着1部，境外国际会议特邀报告12次。研制成功国际领先的微型水力悬浮泵并实现小量销售。
 

 

 

 

主要研究微电子封装制造技术。他的研究团队专注于LED、应用于汽车的大功率电子包装以及可靠性的测量和测试方法和质量保险的开发。特别的一个重点是瞬态热测试和热管理。Gordon Elger教授从德国柏林自由大学博士毕业，其后在不同的公司和研究机构包括荷兰皇家飞利浦公司、Hymite GmbH和德国弗朗霍夫研究所工作，研究领域为光电子，MEMS，HF和LED封装。

 

 

主要研究方向为半导体光电子器件,特别是LED和LD器件研制、可靠性分析和光电应用技术研究。作为骨干成员参加了包括国家自然科学基金、863、973、国家教委、北京市自然科学基金、北京市教委等20 余项课题的研究，负责项目4项;先后获国家级、省市级奖励4项; 在国内外发表论文60 余篇。

 

 

研究方向为半导体光电材料与器件与半导体照明应用系统。曾参加天津市高等学校科技发展基金计划项目：高出光率的GaN基光子晶体LED的研制，主持了天津市教委滨海新区双百科技特派员科技专项项目：室外LED照明的配光技术和方法的研究；国家科技部科技人员服务企业行动项目，智能型大功率LED节能照明产品研发；天津市科研院所技术开发工作扶持项目：LED辐射增亮的研究及应用等项目。

 

 

主要从事宽禁带III族氮化物（GaN）功率半导体材料与器件研究，包括 GaN器件制备及材料物性研究 GaN功率半导体器件及物理器件制备 GaN功率器件稳定性、可靠性机理研究 GaN功率器件驱动及单片功率集成技术的研究 新型GaN电力电子器件在电源管理、光伏逆变、电机驱动等方向的系统集成技术研究。2001年在国际着名异质材料外延技术先端研发机构--日本名古屋工业大学从事氮化镓(GaN)材料和器件研究工作，期间被聘为日本学术振兴会(JSPS)外国人特别研究员。负责组建国内首家GaN功率电子材料与器件研发平台，开展关键技术的研究，同时积极联合国内龙头企业，促进产学研结合，整合产业链条，推动大尺寸Si衬底GaN功率电子材料与器件产业技术的开发。先后承担国家科技部、国家自然基金委、广东省科技计划项目多项。2014年末该研发平台被广东省科技厅认证为广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研发中心。